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2021年02月02日 | 佳能开售后道工序半导体光刻机，可实现大视场一次曝光
2021-02-02 来源：EEWORLD
将在2021年4月上旬发售面向后道工序的半导体光刻机新产品——i线步进式光刻机2 “FPA-5520iV LF Option”。该产品实现了面向先进封装3的52×68mm大视场曝光，解析度达1.5µm （微米4）。
为了提高半导体芯片的性能，不仅在半导体制造的前道工序中实现电路的微细化十分重要，在后道工序中的高密度封装也备受瞩目。为实现高性能的先进封装，需要精细的重布线5，近年来已经开始使用半导体光刻机进行重布线工艺。新产品继承了可应对先进封装的旧机型“FPA-5520iV”（2016年7月发售）的基本性能，同时实现了大视场下电路图形的曝光，可满足异构封装6等多种先进封装技术的需求。
通过搭载新投影光学系统实现大视场的一次曝光
通过搭载新投影光学系统，新产品可以一次曝光52×68mm的大视场，达到了前道工序中光刻机标准视场26×33mm的4倍以上。通过大视场曝光，实现了连接多个大型半导体芯片的异构封装。此外，该产品具有1.5µm的高解析度，可以曝光出精细的重布线图案，从而可应对多种先进封装工艺。另外，在使用高解析度选项的情况下，可以实现以1.0µm的高解析度曝光重布线图案。
继承“FPA-5520iV”的基本性能
新产品继承了“FPA-5520iV”受到广泛好评的基本性能。通过这些共通的基本性能，可以实现封装工艺量产课题中的再构成基板7变形问题的灵活应对，还可以在芯片排列偏差较大的再构成基板上检测出对准标记，从而提高生产效率，实现高生产性等优势。
1 为方便读者理解，本文中佳能可指代：佳能（中国）有限公司，佳能股份有限公司，佳能品牌等
2 使用了i线（水银灯波长 365nm）光源的半导体曝光装置。1nm（纳米）是10亿分之1米。
3 保护精密的半导体芯片不受外部环境的影响，并在安装时实现与外部的电气连接。
4 1µm（微米）是100万分之1米（＝1000分之1mm）。
5 连接在半导体芯片之间或半导体芯片和凸块（突出的连接电极）之间的布线。
6 封装将不同类型的芯片组合在一起，例如CPU和DRAM、CPU和GPU。通过将不同芯片彼此靠近放置并将其许多电路连接并集成在一起，以提高处理能力。
7 从半导体光刻机前道工序中制造出的晶圆中取出多个单个半导体芯片并排列，用树脂固定成晶圆形状的基板。
参考信息：
＜什么是半导体制造的后道工序＞
在半导体芯片的制造工艺中，半导体光刻机负责“曝光”电路图案。在曝光的一系列工序中，在硅晶圆上制造出半导体芯片的工序称为前道工序。另一方面，保护精密的半导体芯片不受外部环境的影响，并在安装时实现与外部的电气连接的封装工序称为后道工序。
史海拾趣
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