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2021年02月03日 | 海力士宣布2021年将量产1α DRAM和176层NAND
2021-02-03 来源：EEWORLD
全球第三大半导体制造商SK海力士（SK Hynix）承诺将在一年内生产1 α DRAM和176层4D NAND闪存。
这家韩国公司表示，此举将“提高在竞争激烈的市场中的成本竞争力”。第四大芯片制造商美光科技公司（Micron Technology）最近表示，在去年宣布量产首批176层NAND之后，其1 α节点DRAM也开始量产。
SK海力士在2020财年第四季度公告中做出了如上承诺。它还计划增加HBM2E等高附加值DRAM产品的比例，以满足高性能计算和人工智能的需求。
该公司表示，2020年，其收入为31.0万亿韩元（约286亿美元），比2019年增长18％。2020年四季度收入为7.9万亿韩元（约合71亿美元），同比增长15％。但环比下降2％。该公司将第四季度环比下降归咎于价格下跌和美元疲软。
DRAM的出货量环比增长11％，但平均售价下降7％，而NAND Flash位的出货量环比增长8％，而平均售价下降8％。该公司表示，由于全球流行病和贸易争端加剧，存储器市场在2020年呈“低迷趋势”。
史海拾趣
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