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2021年02月23日 | Nexperia全新半桥汽车MOSFET，可建减少60%寄生电感
2021-02-23 来源：EEWORLD
关键半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。这种新封装提供了一种单器件半桥解决方案。与用于三相电机控制拓扑的双通道MOSFET相比，由于去掉了PCB线路，其占用的PCB面积减少了30%，同时支持在生产过程中进行简单的自动光学检测(AOI)。LFPAK56D半桥产品采用现有的大批量LFPAK56D封装工艺，并具有成熟的汽车级可靠性。这种封装形式使用灵活的引脚来提高整体可靠性，并且MOSFET之间采用内部铜夹连接，简化了PCB设计并带来了即插即用式解决方案，电流处理能力达到98A，表现非常出色。
通常，在半桥结构中，高边MOSFET的源极与低边MOSFET的漏极之间的PCB连接会产生大量的寄生电感。但是，通过内部夹式连接，LFPAK56D半桥封装成功减少了60%的寄生电感。
新推出的LFPAK56D半桥MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。这两款产品都采用高度耐用的Trench 9汽车级晶圆工艺技术，额定电压为40 V，并在关键测试中通过了两倍汽车AEC-Q101规范的验证。这两款器件的RDS(on)分别为4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
符合AEC-Q101标准的Nexperia LFPAK56D半桥封装产品适合各类三相汽车动力系统应用，例如燃油泵、水泵、电机控制和DC/DC电源转换。其占用的PCB面积减少30%，寄生电感减少60%，因此适用于高性能开关应用。随着重要汽车客户的设计采用和投入，这项新技术已经取得了成功。
史海拾趣
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