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2021年03月18日 | 赛微电子：北京MEMS产线一期Q2生产 下半年预计实现50%产能
2021-03-18 来源：爱集微
3月17日，赛微电子发布机构调研表披露，2020年9月，瑞典原有6英寸产线（FAB1） 升级完成切换成8英寸产线，原有8英寸产线（FAB2）亦已完成扩产，合计MEMS晶圆产能提升至7,000片/月的水平，产能在2019年末的基础上继续提升了约30%；且仍在持续进行资本投入。
而北京产线（FAB3）建设总产能为3万片/月，目前一期产能1万片/月已建成，预计2021年2季度实现正式生产，2021年下半年预计实现50%的产能，即月产5000片晶圆，2022年实现一期100%的产能，即月产 10,000片晶圆；2023 年实现月产1.5万片晶圆，2024年实现月产2万片晶圆，2025年实现月产2.5万片晶圆，2026年实现月产3万片晶圆。随着北京产线工艺制造水平的逐渐成熟，若市场需求的增长超出预期，则上述产能爬坡进度有可能加快。
赛微电子称，公司MEMS工艺开发与晶圆代工产能一直比较紧张，订单排期较长，从晶圆单价的计算结果来看，近几年单片晶圆价格的上涨是持续且快速的，2017-2020年公司MEMS晶圆的平均售价分别约为1700 美元/片、1800美元/片、2200美元/片及2700美元/片。公司拥有业内领先的专家与工艺技术、经验证并持续扩充的8英寸MEMS产能，在市场需求旺盛的背景下能够享受优渥的价格及付款条件，但公司在制定市场销售策略时并非仅考虑单一的价格因素，而是将综合考虑产线运营成本、整体产能资源以及与客户之间的长期合作关系。
在GaN业务方面，赛微电子在2017~2018年即筹划布局GaN外延材料生长及器件设计（相关子公司2018年设立），截至目前GaN材料及器件方面的研发及产业化进展比当初设想的要快，在GaN外延材料方面，赛微电子已逐步形成产品序列并开始向境内外客户销售；在GaN器件方面，目前快充功率器件及应用方案已成熟并形成丰富产品序列，已签订并持续在签订批量销售合同，目前能面向市场供应GaN功率器件及配套PD快充方案的企业并不多，公司面对着下游应用端强烈的意向需求，但公司同时也面临着稳定批量供应方面的巨大挑战。
在GaN外延片方面，赛微电子已建成的6-8英寸GaN外延材料制造项目（一期）的产能为1万片/年，目前尚未开始商业批量交付，已经形成的少量销售客户主要用于研发或验证测试，单价差异较大；在GaN器件设计方面，产能主要受到供应方制造商产能的限制，目前在技术、应用及需求方面是没问题的，关键在产能。公司目前也正在考虑将GaN业务朝IDM模式方向发展。GaN产线的投资成本不会太高，一般情况下在10亿元以内就可以建设一条产能在5000-10000片/月的GaN代工线。
史海拾趣
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