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2021年04月16日 | 基于STM32单片机，FLASh先擦后写的函数分析案例
2021-04-16 来源：eefocus
FLASh 必须是先擦后写
下面的函数是分析案例
void FLASH_WriteByte（u32 addr ，u16 flashdata1）
{
FLASH_Status FLASHstatus = FLASH_COMPLETE;
FLASH_Unlock（）;//解锁FLASH编程擦除控制器
// FLASH_ClearFlag（FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR）;//清除标志位
FLASH_ClearFlag（FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR）;
/
FLASHstatus=FLASH_ErasePage（addr）;//擦除指定地址页
FLASHstatus=FLASH_ProgramHalfWord（addr， flashdata1）;//从指定页的addr地址开始写
//FLASH_ClearFlag（FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR）;
FLASH_Lock（）;//锁定FLASH编程擦除控制
}
基本顺序：解锁-》清除标志位（可以不要）-》擦除-》写半字-》清楚标志位（也可以不要）-》上锁。
如果 FLASH_START_ADDR是宏定义的0x8000000+2048*255
1. 0x8000000是Flash的起始地址
2. 2048是因为我用的是大容量芯片，根据上一笔记Flash地址可以看出芯片每页容量2K，即2048字节，
3. 255表示芯片的最后一页，这个根据不同芯片而定。之所以从后面页写起可以防止储存数据破坏用户程序。
4. addr*2是因为每个数据占用2字节（半字），虽然写入的是1字节数据，但是编程是2字节为单位，
也就是说一个字节的数据也会占用两个字节地址。
这个子函数就是将数据flashdata1写到地址addr中去。数据的长度是可变的。
当需要读入数据的时候可以直接访问地址，
如：rdata=*（u16 *）0x08014000; //读flash中默认数据
0x08014000是存储的地址。
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