2021年08月01日 | 多款GaN的新品亮相快充峰会，英诺赛科引领低碳芯时代

2021-08-01 来源：爱集微

随着电池容量增加以及快充的良好用户体验，高功率充电器发展迅猛；在功率大幅度增加的同时，消费者对充电器体积要求越小越好，因而需要更高功率密度的器件才能满足。采用氮化镓（GaN）/碳化硅等宽禁带材料制成的功率开关凭借其出色的效率及高速切换频率，开启了功率电子的新时代。

7月30日，第三代半导体快充产业峰会在深圳举办。在本次快充产业峰会上，英诺赛科推出了多款适应全功率段的氮化镓功率器件，搭配超薄的DFN封装，实现高功率密度、高可靠性的快充方案设计；与此同时，在峰会上，英诺赛科高级应用工程师杜发达还带来了《InnoGaN引领低碳芯时代》的主题演讲，分享了英诺赛科最新进展、InnoGaN解决方案以及氮化镓快充生态系统等方面观点。

多款GaN新品集中亮相快充产业峰会

在本次快充产业峰会上，英诺赛科也展示适应全功率段的氮化镓功率产品——INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A、INN650DA260A，四款产品均支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，且都符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规;通过搭配超薄的DFN封装，实现高密度、高频、高可靠性的快充方案设计。

具体而言，INN650D150A氮化镓高压单管的耐压650V，瞬态耐压750V，得益于工艺改进，相比英诺赛科之前的氮化镓器件，性能有明显的提升，导阻典型值为115mΩ。INN650D150A采用DFN8*8封装，可直接替换此前同规格产品。为适配更小体积的需求，英诺赛科推出了与INN650D150A性能一致但体积更小的产品——INN650DA150A,采用DFN5*6封装，可应用于高功率密度场合，提供高功率输出。

在INN650D02的基础上，英诺赛科进行了升级，推出了INN650D260A。新品性能升级导阻更低，耐压650V，瞬态耐压750V。INN650D260A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷。

同样考虑到小尺寸市场的需求，英诺赛科推出采用DFN5*6封装的INN650DA260A，相比上一款采用的DFN8*8封装，该款体积明显减小，功率密度有较大提升。得益于工艺改进，性能有明显的提升，适用于65-120W的反激架构，120-200W的LLC架构;可用于开关电源、DC-DC转换、图腾柱PFC、电池快充、高能效高功率密度功率转换应用。

总体而言，英诺赛科本次推出的新品耐压均为市场主流的650V，在导阻上做了大幅升级，具有两种导阻规格，并且分别具有两种封装，适用于不同功率的开关应用。DFN8*8可直接替换上代产品升级性能；而DFN5*6封装可用于对体积要求跟小的场合，实现更高的功率密度。

得益于丰富的InnoGaN系列产品线，英诺赛科在消费类电源市场高歌猛进，当前出货量已突破1000万颗，为联想、努比亚、品胜、MOMAX、QCY等60多家客户推出先进的氮化镓解决方案，并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案。

产能方面，据英诺赛科透露，目前珠海生产基地产能有4K片/月，今年6月苏州产线量产通线，第一阶段产能将达到6K片/月，满产后产能可达65K片/月。

打造国产化生态系统，InnoGaN引领低碳芯时代

在全球“碳中和”的大背景下，快充也将往高效和低碳的方向发展。英诺赛科高级应用工程师杜发达指出，“凭借GaN优异的性能，在低碳化的进程中也必将扮演着非常重要的角色。”

与此同时，快充也在朝着大功率、小体积的趋势发展。随着目前5g的快速发展和普及，对快充的充电功率要求也是越来越大，从一开始的5W、20W到40W、65W，目前部分手机的充电功率甚至达到了120W，在体积基本不变的情况下，功率密度也是随之不断提升。

此外，物联网和AIoT的发展也在不断扩展快充的应用场景。除了手机笔记本电脑等常用的快充，目前的电动工具、电动汽车、智能家居、通信安防等领域产品，快充也是不断出现在这些场景中，扩大了整个的市场是在不断的去扩展。

针对快充的快速发展，英诺赛科也推出了一系列的产品来满足不同功率段的需求。继2019年10月推出的第一代INN650D02后，今年相继推出了性能更优的第二代产品（即前文提及的在本次峰会集中亮相的四款产品）。

在低压产品方面，据杜发达介绍，英诺赛科将推出INN100W08和INN100W14两款应用在激光雷达上产品、应用在车载充电器的INN60W070A以及应用在同步整流DCDC变换器Class D功放电机驱动的INN150LA070A。

围绕着目前产品线，英诺赛科还做了一系列的解决方案。总的来说，英诺赛科的解决方案主要有超小、高频、高效三大特点。以33W（A+C）的方案为例，其尺寸可做到26×26×26mm的极致小体积；高频方面，目前65W方案的开关频率高达400KHz；此外，英诺赛科做的200W LED驱动效率高达96%。

在为客户提出高低压GaN解决方案的过程中，英诺赛科正在构建GaN快充的生态系统。例如直驱GaN生态、中小功率应用场景下的合封GaN生态等。

杜发达强调，“作为一家IDM公司,英诺赛科也一直在致力于打造一个国产化的生态系统，从外延制造到我们的封测体系，这些也是在和国内的厂家一直密切合作。在应用端我们也和磁材电容、控制、驱动IC等方面的厂家在积极的合作推动，完善GaN快充的应用生态。此外，我们也在和国内的科研院校积极合作，推出性能更好，更优的大框架产品。”

GaN

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