2021年08月16日 | 1.7.4_NAND_FLASH数据读取和NAND启动_P

2021-08-16 来源：eefocus

首先是Nand Flash的存储示意图，由最基本的页构成，一页有2KB，一块有64页即128KB，一片nand有2048块。所以，一枚nand芯片有256MB的容量。

除了本身的容量外，每页还有一个OOB（out of bank）区，用于解决nand缺陷（位反转）而存在。

问：CPU读取Nand上的第2048个字节数据，它是哪一个？

答：是Page1的第0个byte。这是因为OOB只是用来解决nand缺陷而存在的，而CPU只关心数据，不需要看到OOB。

下图是读操作的流程图和时序图。

同样，我们需要先选中芯片，之后先发出0x00命令，然后是五个字节的地址，然后是0x30命令，之后就可以读取了，每次读取，它的地址会自动加1，这样我们就可以连续读取了。

这里，需要注意的是，地址是由五个字节组成的，前两个是列地址，后三个是行地址。这是因为nand flash的内部结构是行列排布的，每行又叫做每页，每页有2048个字节，所以要分别发出行地址和列地址。发送五个字节是为了兼容更大容量的芯片，不然256MB=2^28只需要4个字节就可以完成地址的发送。

根据地址得到页地址和列地址，然后发送地址。

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发送完毕之后还不能立刻读取，因为nand flash不想内存那样，它需要更多的时间来准备这些数据，可以通过2440的NFSTAT寄存器来获取nand的状态。

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另外，nand flash的读取不能跨页进行，要读下一页的话需要另外再进行一次读操作，这里我们通过一个while来实现，用i保存已经读取的数据量，当i >= len的时候，表示取出目标数据则退出while，否则循环读取，注意跨页需要重新进行读取操作。

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最后，操作完毕要关闭片选。

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下面是实现从nand启动，我们写了读的函数，刚刚好通过nand启动验证这个读函数是否有效。

我们之前有实现nor启动，现在先写一个接口，判断是从nand启动还是nor启动。根据垫脚石机制，函数如下。

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当为nand启动时，先初始化nand flash控制器，然后把代码从nand复制到SDRAM，需要注意的是要将nand_flash.o放在前4K的位置，不然在程序复制到SDRAM之前就跳转到片内4KSRAM外，会导致代码死机。

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最后，OOB的第0个区域（2048）！=0xFF，表明该BLOCK为坏块。

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