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2021年10月08日 | 三星年度代工论坛开启，工艺蓝图目前已确认到2nm
2021-10-08 来源：EEWORLD
三星电子，日前在第五届年度三星代工论坛（SFF2021）上公布了基于公司Gate-All-Around（GAA）晶体管结构向3纳米和2纳米连续工艺技术迁移的计划。
这个为期多天的虚拟活动以 "增加一个维度 "为主题，预计吸引超过2000名全球客户和合作伙伴。在今年的活动中，三星将分享其愿景，即通过将代工业务的每个部分提升到新的水平，加强其在快速发展的代工市场的领导地位：工艺技术、制造运营和代工服务。
三星电子总裁兼代工业务负责人崔世英博士说："我们将提高整体生产能力，并引领最先进的技术，同时将代工的规模进一步扩大，并继续按应用进行技术创新。在新冠疫情引发的进一步数字化中，我们的客户和合作伙伴将发现半导体技术的无限潜力，在正确的时间提供正确的技术。"
GAA已准备好供客户采用--2022年为3纳米MP，2025年为2纳米
凭借其增强的功率、性能和灵活的设计能力，三星独特的GAA技术--多桥通道FET（MBCFETTM）对于持续的工艺迁移至关重要。与5纳米工艺相比，三星利用MBCFET的第一个3纳米GAA工艺节点将使面积减少35%，性能提高30%，或功耗降低50%。除了功率、性能和面积（PPA）的改善，随着其工艺成熟度的提高，3纳米的逻辑良率正接近于目前正在量产的4纳米工艺的水平。
三星计划在2022年上半年开始生产首批基于3纳米的芯片设计，而其第二代3纳米预计在2023年开始。新加入三星技术路线图的2纳米工艺节点的MBCFET正处于开发的早期阶段，将于2025年进行大规模生产。
用于CIS、DDI、MCU的FinFET--17纳米特种工艺技术亮相
三星代工正在不断改进其FinFET工艺技术，以支持具有成本效益和特定应用竞争力的特种产品。这方面的一个很好的例子是该公司的17纳米FinFET工艺节点。除了FinFET所带来的固有优势外，该工艺节点利用3D晶体管架构，具有出色的性能和功率效率。因此，与28纳米工艺相比，三星的17纳米FinFET工艺的面积减少了43%，性能提高了39%，功率效率提高了49%。
此外，三星正在推进其14纳米工艺，以支持3.3V高电压或嵌入式MRAM（eMRAM），使写入速度和密度提高。这将是微控制器单元（MCU）、物联网和可穿戴设备等应用的最佳选择。三星的8纳米射频（RF）平台预计将扩大该公司在5G半导体市场的领导地位，支持从6GHz以下到毫米波应用。
展望未来，在与生态系统合作伙伴的合作下，三星代工的SAFE论坛将在2021年11月虚拟举行。
史海拾趣
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现在可以用DeviceIoctrl 发scsi命令给USB设备,但是只有发送DATA_IN的命令,底层USB设备有响应,发送DATA_OUT的命令,底层USB设备没有响应.底层USB设备是USB Mass Storage设备,工作正常.不知为什么? 高人可以给个向USB盘写数据的SCSI例子吗?谢谢… 查看全部问答＞ |
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