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2021年12月04日 | 博世宣布开启了SiC芯片大规模量产计划
2021-12-04 来源：爱集微
2021年12月2日，博世表示经过多年的研发，博世目前准备开始大规模量产由碳化硅这一创新材料制成的功率半导体，以提供给全球各大汽车生产商。
博世于两年前宣布将继续推进碳化硅芯片研发并实现量产。为实现这一目标，博世自主开发了极为复杂的制造工艺流程，并于2021年初开始生产用于客户验证的样品。博世集团董事会成员Harald Kroeger表示：“得益于电动出行领域的蓬勃发展，博世接到了相当多的碳化硅半导体订单。”
据悉，未来博世还将继续扩大碳化硅功率半导体的产能，旨在将产出提高至上亿颗的水平。为满足日益增长的碳化硅功率半导体需求，2021年，博世已在罗伊特林根晶圆工厂增建了1000平方米无尘车间。到2023年底，博世还将新建3000平方米无尘车间。新建的无尘车间将配备最先进的生产设施，并使用自主开发的制造工艺生产碳化硅半导体。同时，博世在着手研发功率密度更高的第二代碳化硅芯片，预计将于2022年投入大规模量产。
博世计划使用200毫米晶圆制造碳化硅半导体，相比于如今使用的150毫米晶圆，使用200毫米晶圆能够带来可观的规模效益。毕竟，单个晶圆需花费数月时间才能在无数机器设备中完成上百个工艺步骤。Kroeger表示，“使用大尺寸晶圆进行生产能在一个生产周期内制造更多芯片，进而满足更多客户的需求。”
史海拾趣
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