历史上的今天
返回首页

历史上的今天

今天是:2024年12月06日(星期五)

正在发生

2021年12月06日 | 阿贡研究人员新发现:快速充电降低锂离子电池性能存在其他原因

2021-12-06 来源:盖世汽车

据外媒报道,阿贡国家实验室(Argonne National Laboratory)和伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校(University of Illinois Urbana-Champaign)的科学家经研究发现,电动汽车中快速充电导致锂离子电池性能下降还存在其他原因,且在电池充放电过程中,阳极会发生有趣的化学反应。


前瞻技术,阿贡国家实验室,伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校,锂离子电池性能下降,快速充电

(图片来源:阿贡国家实验室)


相关论文作者之一、伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的Saran Pidaparthy表示:“锂离子电池电芯快速充电会降低其能量和功率性能。论文展示了来自制备的石墨电极(Gr-AP)和从先前以6 C的速率充电(Gr-LP)的(放电)电池中提取的电极的代表性数据。电化学测量表明,收获的电极容量比Gr-AP电极低,并且即使在低速率下也显示出倾斜的锂化曲线,而不是阶梯状曲线。”


Pidaparthy还表示:“我们研究的意义是,即使少量的高倍率循环也足以在最靠近电解质的石墨域中引起显著和永久无序,无论是在粒子表面还是在内部孔隙。这种无序会影响锂化动力学,阻止石墨颗粒接受电荷并推动锂电镀。此外,我们还表明这些结构变化在同一颗粒内的各个孔中高度不均匀,而这些是通常在高速率下观察反应异质性的结果。了解和减轻石墨/电解质界面的结构演变对开发锂离子电池而言非常重要,因为该电池可以反复快速充电,在车辆的10年使用寿命内提供可靠性能。”


锂离子电池的阳极通常由小颗粒组装而成的石墨制成;锂离子可在嵌入过程中将自身嵌入阳极材料中。当嵌入正确时,电池可以成功充电和放电。然而,当电池充电过快时,嵌入就变得非常难。锂离子无法顺利进入石墨,而是聚集在阳极表面顶部,从而产生可能损坏电池的电镀效应。


阿贡电池科学家Daniel Abraham表示:“电镀是快速充电期间电池性能受损的主要原因之一。当快充电池时,我们发现除了阳极表面的镀层外,电极孔内还有反应产物的堆积。”因此,阳极本身会发生一定程度的不可逆膨胀,从而损害电池性能。


通过使用扫描电子纳米衍射技术,研究人员观察到石墨颗粒的另一个显著变化,即在原子层,颗粒边缘的石墨原子晶格由于反复快速充电而扭曲,阻碍了嵌入过程。


Abraham表示:“我们看到石墨中的原子网络会发生扭曲,从而阻止锂离子在颗粒内部找到“家”,而是镀在颗粒上。电池充电速度越快,阳极的原子序就越混乱,因此最终会阻止锂离子来回移动。


所以找到合适的、防止这种组织损失或以某种方式修改石墨颗粒的方法非常关键,可以使锂离子能够更有效地嵌入。”


推荐阅读

史海拾趣

Elpac公司的发展小趣事

随着业务的不断发展,Elpac公司开始将目光投向国际市场。公司制定了全球化战略,积极开拓海外市场。为了更好地适应不同国家和地区的市场需求,Elpac公司针对不同地区推出了定制化的产品和服务。同时,公司还加强了与国际知名企业的合作,共同研发新技术、新产品。这些举措不仅让Elpac公司的产品在全球市场上得到了广泛认可,也为公司的长远发展奠定了坚实基础。

GAPTEC Electronic GmbH & Co. KG公司的发展小趣事

背景:在闪存市场取得成功后,Galaxy Microelectronics开始探索多元化发展道路。

发展:公司决定进入DRAM市场,并投入大量资源进行技术研发。经过几年的努力,Galaxy Microelectronics成功推出了多款高性能DRAM产品,进一步丰富了其产品线。此外,公司还开始涉足SSD固态硬盘领域,推出了多款具有竞争力的产品,进一步巩固了其在存储市场的地位。

Entegris公司的发展小趣事

在晶圆盒传输业务上,Entegris与台湾的家登精密之间发生了一场长达数年的专利侵权诉讼。Entegris最终获得了胜诉,家登被要求赔偿超过3,000万美元。这一胜利不仅保护了Entegris的知识产权,也进一步巩固了其在半导体材料市场的地位。

Conflux公司的发展小趣事

Conflux深知人才是企业发展的核心动力。因此,公司一直注重人才培养和引进。通过与高校和研究机构的合作,Conflux吸引了大量优秀的科研人才加入公司。同时,公司还建立了完善的培训体系,不断提升员工的技能和素质。这些措施为公司的持续创新和发展提供了坚实的人才保障,也构筑了公司的核心竞争力。

DATEL Inc公司的发展小趣事

在竞争激烈的电子行业中,DATEL Inc.始终保持着持续创新的动力。公司不断投入研发资源,推出了一系列具有创新性和竞争力的新产品。同时,DATEL Inc.还注重人才培养和团队建设,积极引进优秀人才,打造了一支高素质的研发团队。这支团队不断创新、追求卓越,为DATEL Inc.的持续发展提供了强有力的支撑。

以上五个故事概要旨在反映DATEL Inc.公司在不同领域的发展情况,但请注意这些故事是基于假设构建的,并非真实事件。如需了解更多关于DATEL Inc.公司的真实故事和发展历程,建议查阅公司官方网站或相关新闻报道。

General Electric Solid State公司的发展小趣事

在竞争激烈的电子行业中,DATEL Inc.始终保持着持续创新的动力。公司不断投入研发资源,推出了一系列具有创新性和竞争力的新产品。同时,DATEL Inc.还注重人才培养和团队建设,积极引进优秀人才,打造了一支高素质的研发团队。这支团队不断创新、追求卓越,为DATEL Inc.的持续发展提供了强有力的支撑。

以上五个故事概要旨在反映DATEL Inc.公司在不同领域的发展情况,但请注意这些故事是基于假设构建的,并非真实事件。如需了解更多关于DATEL Inc.公司的真实故事和发展历程,建议查阅公司官方网站或相关新闻报道。

问答坊 | AI 解惑

基于ARM的条码精密测量系统

摘要: 本文介绍了一种基于32位高性能处理器的视觉精密测量系统的软硬件设计。图像传感器采集的条码图像通过精密定位算法得到绝对位移值,由以太网接口实现高速图像采集。该系统适用于高精度定位的各种位移测量。 关键词: ARM;嵌入式系统;视觉 ...…

查看全部问答>

LTCC的前景

本人初涉LTCC产品设计,不知基于该工艺的产品前景如何,谢谢讨论。…

查看全部问答>

模拟电子200问

附:pdf文档 1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点? 答:频率特性好、体积小、功耗小,便于电路的集成化产品的袖珍化,此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出;但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。 2、什么 ...…

查看全部问答>

NXL LPC系列ARM IIC总线下读写AT24Cxx的总结

       最近应用到NXP LPC系列的ARM IIC总线进行读写AT24Cxx EEPROM,总是出现一下错误,经过查阅资料才发现,原来本人范的全是最基本的错误,感觉很惭愧,现在把容易出错的地方进行总结,希望网友遇到这样的问题时 ...…

查看全部问答>

S3C6410 WINCE6 SD卡升级 求解

最近在思考一个问题,就是有关SD卡升级的。 我看到过三星发布2442下的SD卡升级,但有个缺陷是只支持FAT格式的小容量卡,而且,在EBOOT里面去读写卡的block、sector,简直有点复杂。 我在想,如果是FAT32格式的(现在基本上都是FAT32格式了)SD卡能 ...…

查看全部问答>

串口发送通了 但是始终接收不到数据

        int tmp,i,j;         int receiv,send=0x30;         *ULCON0=0x03;         *UCON0=0x09;         *UBRDIV0=0x280;   ...…

查看全部问答>

一方案打算用FSMC控制彩屏..想请教

从原理上来说..如果用FSMC驱动彩屏..就是把它当作一个外部的存储器件来操作. 1)只有16bit数据线是不是代表每像素就是16bit的?2)需要LCD内带控制器的屏才可以..这样选型范围应该会缩小很多.而且会贵这种屏一般上批量的话能做到多少钱一片. ...…

查看全部问答>

STM8S103配置TIM1为输出比较模式不翻转

用的是103F的片子,想把TIM1设置成翻转输出比较模式,但端口不会发生翻转 配置程序如下: GPIO_Init(GPIOC, GPIO_PIN_6, GPIO_MODE_OUT_PP_HIGH_FAST); TIM1->CR1 &= 0xFE; // stop TIM1 TIM1->PSCRH = 0; TIM1->PSCRL = 0; ...…

查看全部问答>