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2021年12月16日 | 美光176层NAND技术特点及优势详细介绍
2021-12-16 来源：EEWORLD
专题：美光176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术
2020年11月9日，美光科技宣布成为全球首家推出第五代3D NAND闪存技术的公司，达到了惊人的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。
正如美光科技NAND芯片市场总监Dan Doyle在一份声明中所说：“美光的 176 层 NAND 成为一个重要的里程碑。这项技术所实现的密度是早期 3D NAND 的近 10 倍。10 倍密度意味着智能手机可以做更多事、存储更多内容，并且让更多人负担得起，同时提升他们的日常生活体验。我还期待我们的技术能够广泛应用于各种电子设备（包括云存储的基本结构单元）。”
日前，EEWORLD记者再次采访了美光，就176层的诸多优势给予了解答。
1、为何此次产业选择的是176层，2*88这种布局，3D NAND堆叠层数的定义主要取决于什么？之前有过96层（双48），128层（双64等）。从第四代到第五代的突破相对于第三代到第四代，技术上是否更难，对市场的影响是否更震撼？为什么？
美光：没有绝对或神奇的比例数字，3D NAND堆叠的层数会因供应商而异。但业内绝大多数企业的路线图都是从96层到128层，再到176层，大约每次层数会增长1/3左右，这与平面硅工艺制程演进所带来的面积缩小相一致。
2、请介绍一下美光176层NAND的主要特性及优势。
美光：美光的176 层 NAND 推出时具有最高的层数、一流的 I/O 输入输出速度以及创新的CMOS阵列下架构（CMOS under the array）。美光的 176 层 NAND 是业界密度最大、技术最先进的，通过将替换栅极（replacement gate）架构与CMOS阵列下架构设计相结合，实现了业界领先的数据传输速率。
3、各家公司针对176层3D NAND技术都略有不同，美光都采取了哪些独到的技术（包括CMOS阵列下以及replacement gate等）？各家的优劣分别是什么？
美光：我们的 176 层 NAND在推出时拥有最高的层数、一流的 I/O 速度和创新的CMOS阵列下架构。正是这些功能特性和技术的结合，最终造就了该设计的卓越性能。
4、为什么各家针对3D NAND有不同技术路线图，从本质上来说，这些技术的差异性会有多大？终端用户的体验差别大吗？
美光：NAND 与 DRAM 使用 JEDEC标准的方式不同，它并没有通用标准。每家公司使用的技术略有不同，并针对不同的市场和细分领域进行了优化。但总的来说，读写带宽方面存在差异，这与技术选择和目标细分市场有关。
5、在开发176层NAND时，美光遇到的技术难点有哪些？整个业界的技术难点是什么？
美光：我们的工程团队做了大量工作来导入我们在 128 层时就已采用的替换栅极技术，128层并未在所有市场中都铺开，这个节点更像是处于学习阶段，我们在很短的时间内就迅速转向 176 层工艺的开发工作。虽然将NAND堆叠那么高（176层）技术上非常困难，但美光的专家团队总是能实现突破。
6、从技术方面讲，美光为什么能够率先推出176层NAND？
美光：由于没有全面开发 128 层节点，这使我们能够提前将工作重点放在 176 层节点上。
7. 3D NAND的下一个技术突破点是什么？未来技术发展可能的瓶颈在哪里？
美光：我们相信 NAND 在堆叠层数上还可以继续扩展几代，这条路上将遇到一系列技术瓶颈，但最终都会被突破。然而，随着对于每个晶粒的密度和性能的要求都在不断增加，要想实现两者的同时进步，对技术的压力会越来越大。
总结
正如美光所述，未来NAND在堆叠层数上还会继续扩展，我们也期待着在3D堆叠领域，NAND可以走得更远，从而使电子产品可以存得更多，用得更便宜。
史海拾趣
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