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2021年12月07日 | IRFH7085TRPBF N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
2021-12-07 来源：深圳市国宇航芯科技有限公司
- IRFH7085TRPBF 英飞凌 NMOS, MOSFET, HEXFET系列, Vds=60 V, PQFN封装, 147 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
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IRFH7085TRPBF产品详细信息
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数属性 数值 通道类型 N 最大连续漏极电流 147 A 最大漏源电压 60 V 封装类型 PQFN 安装类型 表面贴装 引脚数目 8 最大漏源电阻值 3.2 mΩ 通道模式 增强 最大栅阈值电压 3.7V 最小栅阈值电压 2.1V 最大功率耗散 156 W 晶体管配置 单 最大栅源电压 -20 V、+20 V 每片芯片元件数目 1 典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V 长度 6.15mm 最高工作温度 +150 °C 正向二极管电压 1.2V 最低工作温度 -55 °C 系列 HEXFET 宽度 5.15mm 晶体管材料 Si 高度 0.85mm
史海拾趣
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