EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流
2024-01-18 来源:EEWORLD
宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。
EPC推出三款评估板,分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和短距离车载激光雷达系统而设计,通过可选的输入和输出值,加快评估氮化镓基解决方案。
所有评估板都具有相同的功能,只是峰值电流和脉冲宽度不同。这些评估板利用谐振放电功率级,采用由栅极驱动器LMG020驱动的接地参考GaN FET。GaN FET的超快开关可通过负载的杂散电感,对充电电容器进行快速放电,从而在数纳秒内实现数十至数百安培的峰值放电电流。这些评估板旨在最大限度地减少功率回路和共源电感,同时让激光二极管或替代负载可以灵活安装。为了让用户易于使用,所有评估板均配备EPC9989内插器PCB,具备各种占位面积以安装各种激光二极管或其他负载。客户可针对其基于氮化镓器件的解决方案,选择合适的评估板。
EPC9179/81/80 板由3.3 V逻辑或差分逻辑信号诸如LVDS。只需简单更改单端输入值,评估板即可在低至2.5 V或 1.8 V的输入电压下操作。车载激光雷达系统的设计非常复杂,找到可靠的解决方案极具挑战性。这些评估板可简化对氮化镓基的强大激光雷达驱动器的评估,这些驱动器比其他半导体解决方案的开关速度更快和可实现更大的脉冲电流。 对于技术细节,EPC在其网站上为设计者提供了完整的原理图、物料清单、布局文档和快速入门指南。
宜普电源转换公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说:“为了满足车载激光雷达系统不断增长的需求,这些极具成本效益的评估板采用了具备超快开关优势且通过车规级AEC认证的新型氮化镓器件,从而可以简化评估和缩短客户的产品上市时间。”
EPC2252、EP2204A和EPC2218A GaN FET 以1000片为单位批量购买,每片价格分别为0.85美元、1.37美元和2.71美元。
评估板EPC9179/EPC9181/EPC9180 的单价分别为393.90美元、454.50美元和424.20美元。
所有评估板及GaN FET可从Digi-Key购买及立即发货。
有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具,根据您所需的特定工作条件,我们会推荐合适的替代方案。
- 宜普电源转换公司胜诉,美国国际贸易委员会终裁确认英诺赛科侵权
- 美国国际贸易委员会确认宜普电源转换公司关键专利有效并判定英诺赛科侵犯公司核心专利
- 中国国家知识产权局确认宜普电源转换公司氮化镓栅极半导体技术专利有效
- 宜普电源转换公司将在CES 2024展示基于氮化镓技术的消费电子应用场景
- 宜普电源转换公司起诉竞争对手英诺赛科,要求保护新兴氮化镓(GaN)技术专利
- 35 A ePower™功率级集成电路让您实现更高的功率密度并简化设计
- EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容
- 宜普电源转换公司(EPC)推出170 V eGaN®FET
- 宜普电源转换公司(EPC)的200 V 氮化镓产品系列(eGaN®FET)的性能提升了一倍
- EPC Power 携手 Wolfspeed,以碳化硅打造可靠的模块化电网级储能方案
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC