型号
  • 型号
  • 关键词
首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

C2M0025120D

通孔 N 通道 1200 V 90A（Tc） 463W（Tc） TO-247-3

产品类别：分立半导体    晶体管   

制造商：Wolfspeed (Cree)

下载文档
概述 参数 同类产品
C2M0025120D概述
Wolfspeed Z-Fet™，C2M™和C3M™碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed的一系列第二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。这些低电容设备可实现更高的切换频率，并降低了散热要求，从而提高了整体系统工作效率。

增强模式N通道SiC技术
高漏源击穿电压-高达1200V
多个设备易于并行且易于驱动
高速开关，导通电阻低
防闩锁操作
C2M0025120D规格参数
参数名称
属性值
类别
分立半导体;晶体管
厂商名称
Wolfspeed (Cree)
系列
Z-FET™
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 50A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
161 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2788 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
463W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
C2M0025120
C2M0025120D 同类产品
最新晶体管型号
STGWA30HP65FB2 RV1S2285ACCSP-10YV#SC0 IPB60R040CFD7ATMA1 RV1S2285ACCSP-10YC#SC0 BSZ018N04LS6ATMA1 IPLK70R600P7ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 BUK9K13-40HX MSC040SMA120B IPB60R055CFD7ATMA1
查看该器件的人还看了
热门器件
热门资源推荐
单稳态控制电路设计与分析 永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 CCFL的工作原理及电子驱动电路解析 开关电源的基本组成及工作原理 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图 运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式 比较常见的功率整流器和滤波电路 基于CA3193的热电偶放大器电路 基于TDA1554的立体声放大器电路
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
需要登录后才可以下载。
登录取消