中国工程院院士吴汉明：摩尔定律还能撑5年

在IC CHINA 2020的开幕式上，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明在开幕演讲中表示，摩尔定律预计还能走到2025年。

吴汉明指出，我国集成电脑产业发展注定艰难，尤其是芯片制造工艺，挑战极为严峻。产业发展除了需要巨大资金投入和人才缺口以外，还面临着战略性壁垒和产业性壁垒。前者主要是巴统和瓦森纳协议对中国半导体产业的限制，后者主要是世界半导体领域的龙头企业早期布置的知识产权，对中国半导体这样的后来者形成专利护城河。

今天，摩尔定律仍然在支撑着5G、人工智能等新技术的发展，但是其中的关键技术遇到了材料、器件物理性能局限、光刻等瓶颈。工艺面临的三大挑战包括，制造基础的光刻技术、核心的新材料和新工艺以及良率提升这个终极挑战。

以光刻技术为例，193nm光刻支撑了过去时代工艺的发展，进入7nm以后，EUV光刻开始成为关键，但它目前仍面临光源、光刻胶和掩膜版等方面的难题需要解决。比如掩膜版，过去掩膜的整体产率约94.8%，但EUV仅64.3%左右，而且比复杂光学掩膜还贵3到8倍。

尽管业界已经在研究纳米压印、X光光刻、电子束直写等先进光刻技术，但是距离投入使用，吴汉明估计还要3年以上。

“随着工艺节点演进，摩尔定律越来越难以持续，预计将走到2025年。”吴汉明预测，“在这些挑战下，新材料、新工艺将是未来成套工艺研发的主旋律。”

吴汉明表示，从22nm开始可以就被视为后摩尔时代，基础研究将支撑后摩尔持续发展，可以划分以下为四类技术方向。逻辑器件技术发展则呈现出三个趋势：

一是结构方面。目标是增加栅控能力，以实现更低的漏电流，降低器件功能功耗。实现手段包括由平面结构转为立体，三维晶体管技术（如FinFET等）成为主流器件技术；

二是材料方面。目标是增加沟通的迁移率，以实现更高的导通电流和性能。实现手段包括沟道构建材料由硅变为非硅并成为主流，如Ge、三五族高迁移率沟通材料、GeSi源/漏应变材料等；

三是集成方面。类似平面Nand转向3D NAND闪存，未来的逻辑器件也会从二维集成技术走向三维堆栈工艺。

此外，后摩尔时代将呈现出市场碎片化的特点，中小企业商机大，创新空间巨大。“在20纳米以下节点，先进产能仅占12%，20纳米以上节点还有巨大的市场和空间可以创新。”

但是需要重视的是，从各国研发经费分配来看，我国与世界先进国家的差距仍然很大，尤其在基础研究领域，大部分研发停留在试验阶段，难以产生革命性的创新。

吴汉明强调，当前还有很多核心领域的国产芯片占有率均为0，国产替代趋势下将迎来历史性机遇。与此同时，产业链各环节全球化不可逆转，国产化将得到广泛认可。