三星已布局推进碳化硅功率半导体业务

根据韩媒 ETNews 报道，三星电子内部组建了新的碳化硅（SiC）功率半导体团队，已经任命安森美半导体前董事洪锡俊（Stephen Hong）担任副总裁，负责监管相关业务。

洪锡俊是功率半导体领域的专家，在英飞凌、仙童和安森美等全球大型公司拥有约 25 年的经验，加入三星后，他负责领导这项工作。

洪锡俊负责组建和带领这支 SiC 商业化团队，同时积极与韩国功率半导体产业生态系统和学术机构合作进行市场和商业可行性研究。值得注意的是，三星在正式进军 GaN（氮化镓）业务前，也提前组建了相关业务团队。

三星电子已开始全面筹备 GaN 功率半导体业务。三星决定购买 Aixtron 最新的 MOCVD 设备，专门用于加工 GaN 和 SiC 晶圆，这凸显了三星对此努力的承诺，这笔投资预计至少为 700-8000 亿韩元。

尽管三星的第三代半导体代工业务预计将于 2025 年启动，但目前仍处于研究和样品阶段，现在需要大量投资设备以支持未来的量产工作。

根据 TrendForce 的分析，预计 2023 年全球 SiC 功率器件市场规模将达到 22.8 亿美元（IT之家备注：当前约 166.9 亿元人民币），同比增长 41.4%。预计到 2026 年将扩大到 53.3 亿美元（当前约 390.16 亿元人民币）。

根据 TrendForce 的最新研究，预计到 2024 年，三星 8 英寸晶圆制造工厂的利用率可能会下降至 50%。这一下降主要是由于全球半导体需求减少，再加上地缘政治因素，严峻的商业环境影响了三星的订单量。

随着 SiC 和 GaN 功率半导体的需求持续上升，以及三星硅晶圆业务面临挑战，该公司与 DB Hitek 和 Key Foundry 等竞争对手一起，正准备推出 8 英寸 GaN 代工服务。这一战略举措预计将在 2025 年至 2026 年间实现。