KLA-Tencor推出WaferSight 2度量系统

KLA-Tencor 今天推出了 WaferSight 2，这是半导体行业中第一个让晶片供应商和芯片制造商能够以 45nm 及更小尺寸所要求的高精度和工具匹配度，在单一系统中度量裸晶片平面度、形状、卷边及纳米形貌的度量系统。

纳米形貌控制已成为 45nm 节点的关键，因为它是化学机械研磨 (CMP) 中缩小制程极限的根本，且会引起光刻中的微距量测 (CD) 差异。新型 WaferSight 2 具备业界领先的纳米形貌测量性能和更高精度，并且是第一个以单一非破坏性测量方式进行前后两面纳米形貌测量的系统。

WaferSight 2 将平面度和纳米形貌测量合并在一个系统上，与多工具解决方案相比，可缩短周期时间，减少在制品 (WIP) 的排队与移动时间，缩小所占空间，并提高设施的使用效率。WaferSight 2 还可与 KLA-Tencor 的数据管理系统 FabVision 无缝结合，形成一套可离线分析存档数据或当前度量数据的完整解决方案，并可提供完全自定义的图表和报告。

WaferSight 2 技术概要

集成电路 (IC) 制程中的平面度、卷边和纳米形貌测量的重要性

平面度
在 45nm 节点，先进的光刻光学技术可将焦深缩小到 100~150nm。更小的焦深对晶片上平面度变化的容差要求更为严格，因此，对于每个更小的技术节点，必须更严格地控制晶片平面度与形状参数。WaferSight 2 可以胜任 45nm 生产，因为它具备次纳米级平面度测量精度，且其工具到工具匹配度比 WaferSight 1 提高了 200%。此业界领先性能可帮助晶片制造商提高优率，并帮助芯片制造商降低对所要使用晶片的不确定性与风险。

卷边
晶片邻近边缘区域（定义为从边缘开始 1mm 至 5mm 的范围内）的几何一致性是制造过程中的一个新挑战，这是因为，与晶片的中心相比，邻近边缘区域存在各种加工差异。由此产生的形状或厚度差异称为卷边 (ERO)。卷边会严重影响在最外层区域的光刻焦点控制及该区域的化学机械研磨 (CMP) 一致性。

WaferSight 2 的 ERO 测量可提供所需的准确数据，有助于控制晶片边缘区域的卷边效应，并提高晶粒优率。使用 WaferSight 2 可对角度 ERO 差异进行定量分析，晶片供应商之间，以及晶片和晶片内部之间的差异在 ERO 数据中一目了然。这种 ERO 差异会影响 CMP 中边缘覆膜厚度的一致性，因此，控制晶片 ERO 成为实现预期 CMP 性能的关键。

纳米形貌
纳米形貌是晶片上的纳米级高度差异，它通过测量大约 2mm 至 10mm 的区域得出。国际半导体技术蓝图 (ITRS) 指出，从峰顶到谷底的纳米形貌可能仅有几纳米，因此纳米形貌的精度会受到测量系统上卡盘效应的影响。WaferSight 2 使用全边缘卡夹的晶片操作系统，在其获取平面度和卷边数据的相同扫描中，会捕捉来自晶片前后两面的无伪差纳米形貌数据，从而消除了卡盘效应。