发布时间：2022-04-19

交流 C-V 测试可以揭示材料的氧化层厚度，晶圆工艺的界面陷阱密度，掺杂浓度，掺杂分布以及载流子寿命等，通常使用交流 C-V 测试方式来评估新工艺，材料， 器件以及电路的质量和可靠性等。比如在 MOS 结构中， C-V 测试可以方便的确定二氧化硅层厚度 dox、衬底 掺杂浓度 N、氧化层中可动电荷面密度 Q1、和固定电 荷面密度 Qfc 等参数。 C-V 测试要求测试设备...

发布时间：2021-11-03

电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构，C-V 测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。 C-V测试方法 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般这类测量中使用的交流信号频率在10KHz 到10MHz 之...

发布时间：2020-10-28

各种各样的应用通常要在许多类型的器件上执行 电容 -电压（C-V）和AC 阻抗 测量 。例如，C-V测量用来确定以下器件参数：MOSCAPs的栅极 氧化 物电容、 MOSFET 输入和输出电容、 太阳能电池 的内置电位、 二极管 的多数载流子浓度、BJT端子间的电容、 MI S 电容器 的氧化物厚度、掺杂密度和门限电压。 C-V测量 4215-CVU和4210-CVU都是...

发布时间：2016-08-21

偏移 和 增益误差 （如图7所示）是C-V测量中最常见的误差。X轴以对数标度的方式给出了电容的真实值，大小范围从皮法到纳法。Y轴表示系统实际测量的值，包含测量误差。如果测量系统是理想的，那么所测出的值将与真实值完全匹配，可以画成一条具有45度角的直线，如图7中黑色的线所示。实际上，增益和偏移误差（蓝线和红线）总是会出现，必须进行校正。 增益、额定值、偏移量 图7...

发布时间：2016-08-21

线缆长度补偿是一种经常被忽视的校正技术。它是针对仪器厂商提供的某些特殊线缆进行相位偏移校正的。交流信号沿着线缆传输需要一定的时间，其在测量结果上产生的相位偏移正比于线缆长度和传输延迟。注意，交流阻抗表测量的实际上是阻抗和相位，因此线缆导致的任何相位偏移都表现为测量中的直接误差。大多数交流阻抗表都支持对一组预定的线缆长度选择补偿，例如0米、1.5米或3米。 随着测试频率的增大，C...

发布时间：2016-08-19

在准静态电容测量 中，我们通过测量电流和电荷来计算电容值。这种 斜率 方法使用简单，但是它的频率范围有限（1 ～10Hz），因而只能用于一些特殊情况下。 SMU1-力常数 SMU2-测量 图3. 准静态C-V 斜率 测量方法 斜率测量方法只需要使用两台数字源表（SMU） 。通过第一台SMU将一个恒定电流加载到待测器件（DUT）的一个节点上。这台SMU还负责测量该节点上的...

发布时间：2016-08-19

交流阻抗技术是最常用的电容测量技术 。它最适合于一般的低功率门电路，也适用于大多数测试结构和大多数探针。其优势在于所需的设备相对便宜，大多数电子实验室都可以直接找到。但是，它也有一些缺点，例如它的校正方法不如射频测量中使用的校正方法那样精确。另外一个明显的缺点是要求交流阻抗的测试频率必须接近DUT的工作频率，否则必须内插一些测量结果。 尽管准静态C-V是最所有测量方法中最廉...

发布时间：2016-08-19

在探讨C-V测试系统的配置方法之前，了解半导体C-V测量技术 的局限性是很重要的： 电容：从 10fF到1微法 电阻：从 0.1欧姆到100M欧姆 小电感：从 1nH到10mH 栅介质：可以提取的等价栅氧厚度范围从不到10纳米到几百纳米。可以检测出的电介质玷污浓度从每平方厘米5e9个离子到约1e13个离子，界面阱范围从约1e10/cm2/...

发布时间：2016-08-19

尽管很多C-V测量技术本身相对简单，但是以一种能够确保测量质量的方式实现C-V测试仪与探针台的连接却不是那么简单。目前探针台使用的机械手和探针卡多种多样，当我们试图在一个探针台上同时支持I-V、C-V和脉冲式或超快I-V测量时，它们就会带来一些实际的问题。当进行I-V、C-V或超快I-V测量时，测量结果的质量与线缆的品质和所采用的探针台配置直接相关。 直流I-V测量 最好采...

发布时间：2016-08-18

普通测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体器件，尤其是MOSCAP和MOSFET结构的参数。但是，通过C-V测量还能够对很多其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III-V族化合物器件、光电电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）等。 这类测量的基本特征对于很多应用和培训都是十分有用的。大学实验...