DRAM相关文章 - 电子工程世界（EEWORLD）

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。（关机就会丢失数据）

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铠侠将开发新型 CXL 接口存储器：功耗、位密度优于 DRAM、读取快于 NAND

发布时间：2024-11-07

11 月 7 日消息，铠侠日本当地时间昨日表示，其“创新型存储制造技术开发”提案已获日本新能源・产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划采纳。铠侠表示，在后 5G 信息和通信系统时代，AI 普及等因素产生的数据量预计将变得极其庞大，从而导致数据中心的数据处理和功耗增加。因此数据中心使用的存储器必须能...

半导体设计/制造标签：铠侠 CXL接口

消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构

发布时间：2024-10-29

10 月 29 日消息，《韩国经济日报》表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。报道表示三星第 1...

手机便携标签：三星 V-NAND

消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运

发布时间：2024-08-12

8 月 12 日消息，韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。而 1c ...

半导体设计/制造标签：三星电子 DRAM

报道称三星于华城 17 号产线量产 HBM3 内存，平泽 P4 产线全部转向 DRAM 生产以弥补供应短缺

发布时间：2024-07-22

继消息称三星有望今年第 3 季度开始向英伟达出货后，韩媒 sedaily 报道三星开始已在华城 17 号产线量产并向英伟达供应 HBM3 内存。此外，为弥补 HBM 供应造成的通用 DRAM 内存供应短缺，平泽 P4 工厂转为 DRAM 专用生产线。此前报道，三星平泽 P4 工厂的代工业务已暂缓建设。韩媒称 NAND 闪存产线也没有进一步投资的计划。业内人士称：目前，P...

半导体设计/制造标签：三星 HBM3

消息称三星DRAM及NAND计划Q3涨价15-20%

发布时间：2024-06-27

由于人工智能（AI）需求激增，存储半导体方面竞争进一步加剧，预计三星电子下半年业绩将有所改善。据韩国《每日经济新闻》，三星电子近期已向包括戴尔科技、慧与 HPE 在内的主要客户通报了涨价计划，准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器 DRAM 和企业级 NAND 闪存报价提高 15-20%，而三星 Q2 已将其企业级 NAND 闪存涨价 20% 以上。三星电子负责半导体业...

半导体设计/制造标签：三星 DRAM NAND

戴尔 COO 示警：下半年 DRAM 内存和固态硬盘价格季度涨幅将达约 15~20%

发布时间：2024-06-04

6 月 4 日消息，戴尔 COO 杰弗里・克拉克（Jeffrey Clarke）在公司 2025 财年第一季度（IT之家注：截至 2024 年 5 月 3 日）财报电话会议上警告，下半年 DRAM 内存和固态硬盘将继续迎来价格上涨。克拉克表示，一季度是戴尔全年的成本低点，未来几个季度戴尔将在成本上面临阶梯式的增长。这一涨势主要由 DRAM 和固态硬盘的供不应求推动。戴尔认...

家用电子标签：戴尔 DRAM

消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶

发布时间：2024-05-30

5 月 30 日消息，随着 DRAM 小型化的不断推进，SK 海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。据 TheElec，SK Hynix 计划在第 6 代（1c 工艺，约 10nm）DRAM 的生产中使用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是 MOR 首次应用于 DRAM 量产工艺。消息人士称，SK Hynix 量产的 1c DRAM 上有五...

半导体设计/制造标签： SK海力士 DRAM 光刻胶

消息称SK海力士拟新建DRAM工厂，对在海外其他地区建厂持开放态度

发布时间：2024-04-29

4 月 29 日消息，据《首尔经济日报》今日引述业内人士消息称，除了最近宣布的 M15X 计划之外，SK 海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。 ▲ 图源 SK 海力士，下同据报道，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产，预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示，“我们了解到，他们不仅对在韩国建...

半导体设计/制造标签： SK海力士 DRAM

SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产

发布时间：2024-04-09

4 月 9 日消息，据韩媒 Businesskorea 报道，SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。进入 20~10nm 制程后，一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代，1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述，为第六个 10+ nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b nm 为“12nm 级”。三星近期在行业会议 Me...

半导体设计/制造标签： SK海力士三星电子 DRAM

三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代

发布时间：2024-04-01

4 月 1 日消息，据外媒 Semiconductor Engineering 报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。 DRAM 内存行业将于本十年后期将线宽压缩至 10nm 以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括 3D DRAM 在内的多种创新型内存设计。...

半导体设计/制造标签：三星 3D DRAM

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