发布时间：2024-08-29

如果某一个天项目经理提出一个需求，要求在现有STM32产品基础上，内部FLASH增加64K字库，你脑海中首先会想到什么？ 1先说点其它 一般对于初学者来说，内部FLASH完全足够，跑一个简单的裸机Demo，或者一个RTOS加上两个任务的Demo，对于现在的MCU完全没有压力。 但是，一旦你接触到实际项目，你会发现很多地方都会开支FLASH，而且有些项目占用FLASH还不小...

发布时间：2021-01-28

如果某一个天项目经理提出一个需求，要求在现有STM32产品基础上，内部FLASH增加64K字库，你脑海中首先会想到什么？ 1先说点其它 一般对于初学者来说，内部FLASH完全足够，跑一个简单的裸机Demo，或者一个RTOS加上两个任务的Demo，对于现在的MCU完全没有压力。 但是，一旦你接触到实际项目，你会发现很多地方都会开支FLASH，而且...

发布时间：2020-07-03

半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布，隆重推出国内首款容量高达2Gb、高性能SPI NOR Flash——GD25/GD55 B/T/X系列产品，该系列可提供512Mb至2Gb的不同容量选择，支持高速4通道以及兼容JEDEC xSPI和Xccela规格的高速8通道，主要面向需要大容量存储、高可靠性与超高速数据吞吐量的工业、车载、AI以及5G等相关应用领域。 ...

发布时间：2020-02-04

全球第二大NAND 型快闪记忆体（Flash Memory）厂商铠侠（Kioxia，旧称东芝记忆体）采用3D 架构的NAND Flash「BiCS FLASH」有新一代产品现身，堆叠112 层、记忆容量将较现行96 层产品提高2 成。 铠侠1月31日宣布，已研发出3D NAND Flash「BiCS FLASH」的第5代产品，采用堆叠112层制程技术，且已完成试作、确认基...

发布时间：2019-08-13

目前，两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划。其中，三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外，SK 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。不过，虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极...

发布时间：2019-04-19

启动文件详解: 启动文件的作用： 1.初始化堆栈指针 2.初始化PC指针 3.初始化中断向量表 4.配置系统时钟 5.调用 C 库函数_main 初始化用户堆栈，从而最终调用 main 函数去到 C 的世界 详解： 给栈分配地址 Stack_Size EQU 0x00000400 ;1kb AREA STACK（名字）, N...

发布时间：2019-03-06

在STM32中文参考手册的第3页就看到STM32MCU的名命规则如下 显而易见，C8T6应当是LQFP48封装的64k内部FLASH的MCU，但是在使用中发现，我们是可以对超过64K字节的FLASH空间进行读写的，而且MDK默认的下载算法也是针对128KFLASH的，如下图。 在网上查阅资料后发现，C8T6和CBT6（仅FLASH...

发布时间：2018-08-24

    8月24日，兆易创新发布半年报。报告显示，2018 年上半年，公司实现营业收入 11.07 亿元，比去年同期增长 17.88%；归属于上市公司股东的净利润 2.35 亿元，比去年同期增长 30.99%。 兆易创新主要产品分为闪存芯片产品及微控制器产品。是目前中国大陆领先的闪存芯片设计企业。基于良好的市场需求和公司产品结构的优化布局，兆易创新业绩稳定增长。此外，受人民币...

发布时间：2018-07-10

昨天读了一下手头常用的STM32F030F4P6的Flash，发现除了官方标定的0~3 Sector，4~7 Sector也可以正常的读写，但用STLink无法下载程序到该位置。 问了下老师，老师说可能030F4P6这个片子是降级片子，跟以前103RB（没记清）应该是同一情况。 虽然程序不能通过直接烧录的方式写进4~7 Sector，但在程序中可以通过解锁Flash来实现对其...

发布时间：2016-11-28

全球数码储存媒体领导品牌—创见（Transcend Information, Inc.）了解消费者对储存空间及速度的需求日渐增加，推出首款搭载3D NAND闪存的2.5寸固态硬盘SSD230。最新一代3D NAND闪存突破2D NAND技术瓶颈，全面提升容量、效能、可靠度，将NAND闪存技术带入新纪元！ 3D NAND闪存技术，全面提升容量、速度及耐用度 为提升内存容量...