发布时间：2022-12-29

近日，全球知名半导体制造商 ROHM 面向引擎控制单元和变速箱控制单元等车载电子系统、PLC（Programable Logic Controller）等工业设备，开发出40V耐压单通道和双通道输出的智能低边开关（Intelligent Power Device，以下简称 IPD ）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款产品。这些产品...

发布时间：2022-12-23

随着电子元件越来越多并且越来越昂贵，需要系统里设置更多的保险丝和继电器，从而保护系统不会遭受冲击。不过包括保险丝和继电器在内的机械组件的可靠性相对较差，需要更换，而IPD智能功率开关则可以有效解决这一问题。在检测到过流之后，IPD可以自主关闭功率开关以保护系统，同时还可以将状态数据发送给MCU，从而实现更智能的保护。 罗姆半导体技术中心经理孙波表示，正是因为IPD的智能，...

发布时间：2022-06-21

2022年6月**日，中国上海讯——国内 EDA、IPD 行业的领军企业芯和半导体于正在美国丹佛举行的2022年IMS展会上宣布，其IPD芯片累计出货量已首超10亿颗。 芯和半导体 在集成无源器件IPD 和系统级封装SiP 设计领域积累了超过十年的开发经验和成功案例，结合虚拟IDM模式，构建了芯和无源器件IPD平台。基于IPD技术的一致性高、可集成性强、尺寸小、高度低、可...

发布时间：2021-01-25

随着汽车向E/E体系结构的转变、以及采用CAN和千兆以太网，汽车的通信和控制网络正在经历重大变革。为了获得更安全的系统，配电网络必须进行类似的转换，以变得更加分层，冗余并具有保护功能。 在常规配电网络中，保险丝和机械继电器用于分配和切换电源。最近，基于微处理器的电源控制已用于实现对电源分配和安全功能的更详细控制，并且保险丝和机械继电器也被半导体开关所取代。瑞萨通过提供智能...

发布时间：2021-01-25

“全球知名半导体产业研究机构Yole Développement，一直以来因其对射频前端市场的权威研究和预测，成为引领行业的风向标。最近几年，Yole对芯和半导体的关注持续升温： 2019年Yole在“5G's Impact on RF Front-End Module and Connectivity for Cell Phones 2019 报告中首次把芯和定...

发布时间：2021-01-23

全球知名半导体产业研究机构Yole Development，一直以来因其对射频前端市场的权威研究和预测，成为引领行业的风向标。最近几年，Yole对芯和半导体的关注持续升温： 2019年Yole在“5G's Impact on RF Front-End Module and Connectivity for Cell Phones 2019 报告中首次把芯和定位为全球I...

发布时间：2020-05-15

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出栅驱动器开关 IPD “TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元（ ECU ）的供电电流的通断，并计划于今日开始出货。 TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道 MOSFET ，适用于负载电流的高侧开关。作为一种电子开关，这种新型 IPD 能够避免机械继电器的触头磨损，有助于缩小...

发布时间：2020-05-14

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出栅驱动器开关IPD “TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元（ECU）的供电电流的通断，并计划于今日开始出货。 TPD7107F产品示意图 TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSFET ，适用于负载电流的高侧开关。作为一种电子开关，这种新型IPD能够避免机械继...

发布时间：2017-12-25

安森美半导体新的完整功能工艺设计套件，推进无源器件制造的小型化和创新。我们提供各种工具给设计人员，使他们开发出无线、便携、和射频器件应用的创新小巧解决方案。对于考虑采用集成无源器件 (IPD) 加速开发或避免使用大型表贴器件 (SMD) 的设计人员，如今利用 适用于 National Instruments 应用波研究 (AWR) 环境的 PDK 套件 可以轻松完成设计。 ...

发布时间：2013-12-12

东芝公司(Toshiba Corporation)推出用于汽车应用的小尺寸封装单通道高边开关IPD(智能功率器件)"TPD1055FA"。批量生产定于本月底开始。 该产品采用BiCD工艺制造，可使用新的WSON10封装。这可以使安装面积较采用SOP-8封装的同等产品1减少大约30%，有助于缩小器件的尺寸。 主要特点 · BiCD工艺(P沟道DMOS输出@VDSS=40V...