发布时间：2024-03-28

2024 年 3 月 28 日，中国– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。 ...

发布时间：2024-01-11

近日，意法半导体功率产品迎来了新的里程碑，其MDmesh超结MOSFET累计出货量达100亿颗，该系列产品旨在提高电源和电机的效率，在汽车、基站电源、新能源等行业都得到了广泛应用。 ST ADG部门战略市场经理Filippo Di Giovanni表示，其从事功率晶体管业务已近40年，但当其开始生产MDmesh时，从未想过出货量能达到100亿颗。“90年代末，MOSFET...

发布时间：2022-05-18

2022 年 5 月 18日，中国 – 意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管 非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。 首批上市的两款器件是 650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9 。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可...

发布时间：2021-10-26

意法半导体新MDmesh™ K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗 2021 年 10 月 26 日,中国——STPOWER MDmesh K6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗， 特别适合基于反激式拓扑的照明应用 ，例如， LED 驱动器、HID 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。 ...

发布时间：2018-12-14

意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。 针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效，最低16 nC的栅极电荷量（Qg）可实现高开关频率，这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有良好的能效表现。 ...

发布时间：2017-05-23

2017年5月22日，意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。 作为超结MOSFET管，新产品额定电压范围950V至1050V，开关性能、导通电阻(RDS(ON))和硅单位面积流过的额定电流等技...

发布时间：2017-05-23

意法半导体 推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。 ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度 作为超结MOSFE...

发布时间：2017-05-22

eeworld网消息，中国，2017年5月22日 —— 意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。 作为超结MOSFET管，新产品额定电压范围950V至1050V，开关性能、导通电阻(RDS(ON))...