发布时间：2021-11-18

Diodes Incorporated 目标电动汽车产品应用推出高电流 TOLL MOSFETs 【2021 年 11 月 18 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 为金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 推出节省空间、高热效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封装 ，能在 175°C、100 瓦等级的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH...

发布时间：2018-03-23

Nexperia (安世半导体)3月初宣布安世半导体(中国)有限公司着力扩建的广东新 分立器件 封装和测试工厂正式投产，全厂总面积达到72,000 平方米，新增16,000 平方米生产面积，年产量达到900 亿件;根据产品组合，实现增长约50%，有力地支持了今后数年 Nexperia  雄心勃勃的业务发展计划。广东新工厂的投产，使 Nexperia  全年总产量超过1 千亿件...

发布时间：2017-02-09

前身为恩智浦 (NXP) 标准产品业务的Nexperia今天宣布，该公司已正式成为一家独立公司。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，在北京建广资产管理有限公司以及Wise Road Capital LTD（简称：智路资本）联合投资下，拥有前恩智浦部门所累积的专业知识、制造资源和主要员工，并致力于开拓产品新重点的承诺，成为独立的世界级分立器件 (Discrete)、逻辑器件(L...

发布时间：2015-09-15

意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）MDmesh M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员，新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果尤为显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严格的能效目标要求。 新款600V...

发布时间：2014-03-16

MSL2164和MSL2166器件可在新型3D和2D滚动背光TV中提供极具吸引力的观看和视频游戏体验。 这些LED驱动器可与爱特梅尔tinyAVR®、megaAVR®和AVR XMEGA等AVR®微控制器(MCU) 无缝集成。微控制器处理定时和调光指令，将数据发送给MSL2164和MSL2166器件。 AVR器件与固件提供优化整个背光设计的总体解决方案，提供相比竞争解决方...

发布时间：2012-01-14

摘要：通过分析设计，提出了一种新型结构的叠栅MOSFET，它的栅电容是由两个电容混联组成，所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的作用。模拟软件MEDICI仿真结果验证了理论分析的预言，从而表明该结构可用作射频领域。 关键词：叠栅MOSFET；阈值电压；栅氧化层电容；短沟道效应 0 引言     尽管微电子学在化合物和新元素半导体材料以及电路技术方面取得了很大的进展，但是...

发布时间：2011-07-19

IR为低功率应用推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFETs，扩展了PQFN封装系列 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MO...

发布时间：2011-03-31

通过分析设计，提出了一种新型结构的叠栅MOSFET，它的栅 电容 是由两个 电容 混联组成，所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的作用。 模拟 软件MEDICI仿真结果验证了理论分析的预言，从而表明该结构可用作 射频 领域。 关键词：叠栅MOSFET；阈值电压；栅氧化层电容；短沟道效应 0 引言 尽管微 电子 学在化合物和新元素 半导体 材料以及 电路 技术方面取...

发布时间：2010-08-12

　　全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司今天宣布，推出新款充电器IC --- ISL9220，以扩展其不断增长的紧凑型、高集成度电池充电IC系列。新器件基于开关模式拓扑结构，可以确保包括智能手机、平板电脑在内的便携电子产品中单节及双节锂离子/锂聚合物电池的最高运行效率和最低功耗。 　　ISL9220采用同步脉宽调制（PWM）技术并集成了MOS...