发布时间：2023-12-07

【 2023 年 12 月 7 日， 德国慕尼黑 讯】 数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。 OptiMOS 7...

发布时间：2023-08-03

【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】 小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品...

发布时间：2023-01-13

英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET 【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势， 英飞凌科技有限公司 推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BS...

发布时间：2022-03-14

英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，树立技术新标准 【2022年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司近日推出了全新的采用 PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列 ，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术...

发布时间：2020-11-03

当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2 月份推出 25 V 装置后，英飞凌又推出了 OptiMOS™ 40 V 低电压功率 MOSFET，采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装，尺寸为 3.3mm x 3.3 mm。这款 40 V S...

发布时间：2014-12-16

    2014年12月16日——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。这项新的封装拓展了IR的功率模块系列的功能，使其可用于更低功率的紧凑型设计，适合12V输入DC-DC同步降压应用，包括先进...