发布时间：2022-08-11

摘要： 本文介绍了在车载OBC,高压转电压DCDC应用中宇宙辐射对高压功率半导体器件可靠性的影响，评估。 关键词： OBC；DCDC；宇宙辐射；FIT 引言： 汽车行业发展创新突飞猛进，车载充电器（OBC）与DCDC转换器（HV-LV DC-DC）的应用因此也迅猛发展，同应对大多数工程挑战一样，设计人员把目光投向先进技术，以期利用现代超结硅（Super Ju...

发布时间：2018-03-06

宽带隙器件能够在新设计中提供最佳性能 我们都已经知道SiC和GaN等宽带隙（WBG）开关所能够提供的性能优势，这些器件将会彻底变革当前所有应用中功率转换的功率密度和效率，其中包括智能能源管理和电动汽车等领域。但半导体制造商依然相当谨慎，为了使器件发挥其全部潜力，系统需要围绕使用RF技术进行设计。这样做是为了匹配WBG器件的高开关频率和边缘速率能力，这些器件又反过来需要更小...

发布时间：2013-10-06

　　2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南京大学、北京大学、科锐公司、西安电子科技大学等研究机构以及企业的近百名人士参加了此次会议。 　　苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千先生在会上做了以《si基GaN功率器件的发展态势分析》为题的报告，通过详细讲解氮化镓(GaN)的优势、硅(si)基氮化镓的产品优势、氮...

发布时间：2013-09-27

SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的优势体现在哪些方面？电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。 SiC是什么？ 碳化硅（SiC）是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周...