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功率器件，就是输出功率比较大的电子元器件，像大音响系统中的输出级功放中的电子元件都属于功率器件，还有电磁炉中的IGBT也是。本章详细介绍了：功率器件定义，功率器件龙头企业，最新功率器件，分立器件与功率器件，功率器件测试，功率半导体器件基础。

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英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

发布时间：2024-11-20

【2024年11月20日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。 CoolGaN™...

电源管理标签：英飞凌氮化镓功率器件分立器件

Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而设计

发布时间：2024-11-13

Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计该系列产品支持多种拓扑结构、电流和电压范围为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封装、支...

网络通信标签： Microchip IGBT 功率器件可持续发展电动出行数据中心

CGD和QORVO将彻底改变电机控制解决方案

发布时间：2024-11-12

评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能 2024年11月12日英国剑桥- 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD今日与全球领先的连接和电源解决方案...

工业控制标签： CGD QORVO 电机控制氮化镓功率器件

碳化硅功率器件上下游产业链：衬底和外延的重要性

发布时间：2024-10-29

在半导体产业的快速发展中，碳化硅(SiC)作为一种新型的宽禁带半导体材料，正逐步成为功率半导体行业的重要发展方向。碳化硅功率器件以其耐高温、耐高压、高频、大功率和低能耗等优良特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域展现出巨大的应用潜力。而碳化硅功率器件的上下游产业链中，衬底和外延作为关键环节，对于器件的性能和成本具有至关重要的影响。一、碳化硅功率器件上下游...

嵌入式标签：碳化硅功率器件衬底外延

碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车中的深入应用解析

发布时间：2024-10-23

　　碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，它突破硅基半导体材料物理限制，成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。　　功率器件的作用是实现对电能的处理、转换和控制。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势，可实现功率模块小型化、轻量化。相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基MO...

嵌入式标签：碳化硅 SiC 功率器件新能源汽车

【泰克先进半导体实验室】远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件

发布时间：2024-10-16

氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而，由于工作电压和长期可靠性的制约，这些器件的潜力并未得到充分发挥，主要在消费电子领域内竞争价格。近期，随着高压氮化镓器件的陆续推出，我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。远山半导体最近发布了新一代高压氮化镓功率器件，并在泰克先进半导体实验室进行了详尽的测试，这些测试结果为我们提供了对远山半导...

电源管理标签：泰克实验室远山半导体氮化镓

芯联集成获广汽埃安旗下全系车型定点

发布时间：2024-10-09

日前，在功率器件、MEMS、连接三大产品方向上拥有领先核心芯片技术的芯联集成与广汽埃安签订了一项长期合作战略协议。根据协议，芯联集成将为广汽埃安旗下全系新车型提供高性能的碳化硅（SiC）MOSFET与硅基IGBT芯片和模块，这些芯片和模块将被应用于广汽埃安未来几年内生产的上百万辆新能源汽车上，以提供更高效、更稳定的能源转换和控制，从而提升车辆的性能和驾驶体验。通...

汽车电子标签：芯联集成广汽埃安车型功率器件 MEMS 连接

佳能发售面向小尺寸基板的半导体曝光设备“FPA-3030i6”

发布时间：2024-09-24

采用新开发镜头、拥有多项option，适应市场潮流扩大的功率器件领域佳能※1于2024年9月24日发布新型半导体曝光设备FPA-3030i6，这是一款配备新开发投影镜头的 i-line※2步进机，旨在提高客户生产力。新产品FPA-3030i6是面向8英寸（200mm）以下小尺寸基板的半导体曝光设备。该设备通过采用新开发的高透过率和高耐久性投影镜头，既能抑制高...

半导体设计/制造标签：佳能基板半导体曝光设备功率器件

Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管

发布时间：2024-09-04

低压理想二极管可将功率损耗降低一个量级奈梅亨，2024年9月04日： Nexperia宣布为其持续扩展的功率器件产品组合新增两款理想二极管IC 。其中，NID5100适用于标准工业和消费应用，而NID5100-Q100已获得认证，可用于汽车应用。这两款理想二极管均以MOSFET为基础，拥有比传统二极管更低的正向压降，非常适合用来替换系统中的标准二极管，进而满足相关...

电源管理标签： Nexperia 车规级理想二极管

Nexperia为其功率器件产品组合添加了具有出色限流精度的新型大电流eFuse

发布时间：2024-07-30

集成自动复位低电阻FET，降低工作功耗奈梅亨，2024年7月30日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出NPS3102A和NPS3102B电子保险丝(eFuse)，进一步扩充其不断发展的功率器件产品组合。这些低电阻(17 mΩ)、大电流(13.5 A)、可复位的电子保险丝有助于保护下游负载，不受过高电压的影响，同时还可以保护电源免受负载故障...

电源管理标签： Nexperia 功率器件限流精度 eFuse 电子保险丝

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