发布时间：2021-12-08

安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列，应用于服务器和电信 新器件提供卓越的开关特性，使电源能符合80 PLUS Titanium能效标准 2021年12月8日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)，发布新的600 V SUPERFET Ò V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 P...

发布时间：2016-09-21

加利福尼亚桑尼维尔 2016 年 9月 21日 Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，今天推出了其SuperFET III系列，用于650V N沟道MOSFET，这是该公司新一代的MOSFET，可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。 SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性...

发布时间：2015-03-10

全新的 SuperFET MOSET 系列将最低的导通电阻 (Rdson)、 最低的输出电容 (Coss) 和广泛的可选封装相结合，为设计师提高灵活性. 美国加州圣何塞 2015 年 3 月 10 日 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)今日推出 800V SuperFET II MOSFET 系列...

发布时间：2013-08-04

为了满足能源之星（ENERGY STAR）等规范的要求以及消费者降低碳排放的愿望，功率电子产品设计团队正在不断努力提高系统效率，以求尽量接近额定100%效率的终极目标。此外，目前调节器实际上需要在电源第一级采用功率因数校正（Power Factor Correction，PFC），以尽量提高功率因数（PF），减少电力线的损耗。功率因数的大小与电路的负荷性质有关，如白炽灯泡、电...