发布时间：2024-06-20

加速宽禁带产品供应并推出15款全新基于GaN的成功产品组合参考设计 2024 年 6 月 20 日，日本东京讯 ― 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，）今日宣布， 已于2024年6月20日完成对氮化镓（GaN）功率半导体全球供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”）的收购 。随着收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于GaN的功率产...

发布时间：2024-04-25

该SiP系列现已增至三款器件，均使用了Transphorm的SuperGaN，为支持新一代适配器和充电器拓展了功率等级 美国加利福尼亚州戈莱塔，中国台湾新竹 — 2024年4月25日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc. 与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟...

发布时间：2024-01-18

Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线 新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代器件 加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc. 今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247...

发布时间：2024-01-11

增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、 人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇 Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利 2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST ，日本东京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m...

发布时间：2023-12-28

Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件，支持多功率等级，为客户创造竞争优势 Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性 2023 年 12 月 28 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc...

发布时间：2023-12-21

新设计工具有助于加速两轮电动车市场的产品设计，并帮助系统工程师充分利用SuperGaN FET的优势 2023 年 12月 21 日－全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码TGAN）宣布推出两款面向电动车充电应用的全新参考设计。300W和600W恒流/恒压（CC/CV）电池充电器采用 Transphorm 的70毫欧...

发布时间：2023-12-07

专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 1 2 月 7 日 – 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）宣布与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Al...

发布时间：2023-11-29

Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能 新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商...

发布时间：2023-11-07

三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势， 此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 1 1 月 7 日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, ...

发布时间：2023-10-19

氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 – 氮化镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为...