发布时间：2024-05-31

5 月 31 日消息，三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM 研讨会”上表示，正按计划逐步推进 eMRAM 内存的制程升级，目前 8nm eMRAM 的技术开发已基本完成。 作为一种新型内存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时 MRAM 的写入速度又是 NAND 的 1000 倍，支持对写入速率要求更高的应用。 ...

发布时间：2020-03-02

Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技术，该公司正在与几个客户合作，计划在2020年实现多个流片。 eMRAM将成为物联网，通用MCU，汽车，边缘AI和其他低功耗应用的一种经济高效的选择。 Globalfoundries的eMRAM设计为替代大容量嵌入式NOR闪存（eFlash），使设计人员能够扩展其现有的IoT和MCU单元架构，以获取28...

发布时间：2019-03-07

日前，三星电子又宣布，已经全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存)，而且用的是看上去有点“老旧”的28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。 三星指出，基于放电存储操作的eFlash(嵌入式闪存)已经越来越难以进步，SLC、MLC、TLC、QLC、OLC一路走下来，密度越来越高，但是寿命越...

发布时间：2018-03-04

美国加利福尼亚圣克拉拉，（2018 年 2月 27 日）——今日，格芯 与 eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX®）平台的嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与 eVaderis的超低耗电IP结合，适合包括电池供电的物联网...

发布时间：2017-06-05

　　甫于5/24-25举行的Samsung Foundry Forum Event发布的诸多technology roadmap中有一个乍看下不怎么起眼的消息：三星的28nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)制程有RF (射频)与 eMRAM  (嵌入式磁性随机存取存储器)的选项，其中 eMRAM 的风险生产(risk p...