发布时间：2024-09-18

概述 本章STM32CUBEMX配置STM32F103，并且在GD32F303中进行开发，同时通过开发板内进行验证。 本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F103ZET6进行移植，512K大小的Flash。 样品申请 https://www.wjx.top/...

发布时间：2024-06-03

此篇限定研究范围为FLASH区域的访问规则。 以下结论均为实测所得： 一、读 1.单字节读例程，单字节读可以从任意地址开始读 uint8_t STMFLASH_ReadByte(uint32_t faddr) { return *(volatile uint8_t*)faddr; } 2.半字（2个字节）读例程， 半字读只能从偶数地址开始读 ，从奇数地址读...

发布时间：2024-02-26

本文主要介绍STM32多种的内部Flash读写方式和读写长文件的功能函数怎样编写。阅读完本文可以使你能够正常的完成Flash读写操作。 介绍 STM32 FLASH 不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了1024K 字节。本次实验选用的STM32 开发板是F103ZET6，其 FLASH 容量为 512K...

发布时间：2023-10-09

大家好，今天和大家分享一下STM32F103C8T6读写内部flash，关于103系列的单片机大家可以参考选项手册查看flash的容量。 一、芯片FLASH容量分类： 可以看到我们今天介绍的这款芯片的flash大小是64K的，网上也有人说它可以支持到128K，但是官方给出的解释是前64K是有保证的，后面的无法保证，所以想要使用的小伙伴需要慎重。 现在芯片的flash大...

发布时间：2023-08-10

概述 本例程主要讲解如何对 芯片 自带Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是 STM32 F103RBT6，128K大小的Flash。 最近在弄ST和GD的课程，需要GD样片的可以加群申请：615061293 。 视频 教学 csdn课程 课程更加详细。 硬件 准备 使用STM32CUB...

发布时间：2022-09-20

一、STM32存储器介绍 STM32存储器分为以下两种： 1. 随机存储器—RAM RAM是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。 它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。 当电源关闭时RAM不能保留数据（掉电数据消失哦）如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。 2. 只读存储器—R...

发布时间：2022-05-20

STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片，内部FLASH有1M之多。平时写的代码，烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作。 【STM32F4 内部Flash的一些信息】 STM32F407VG的内部FLASH的地址是：0x08000000，大小是0x00...

发布时间：2021-10-29

内部Flash STM32芯片内部有一个FLASH存储器，主要用于存储代码。我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部FLASH中，由于FLASH存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，内核可从内部FLASH中加载代码并运行。 除了使用外部的工具（如下载器）读写内部FLASH外，STM32芯片在运行的时候，也能...

发布时间：2021-08-23

源文件 /* ********************************************************************************************************* * 函 数 名: GetSector * 功能说明: 根据地址计算扇区首地址 * 形 参: 无 * 返 回 值: 扇区首地址 ****...

发布时间：2021-07-20

因为MC9S12G128 有内部flash和eeprom所以不需要用到 sci来通信。 并且MC9S12G128的flash与eeprom是共同管理的所以存取方式相同，只是地址范围不同。如下表所示 flash module的初始化 void eeprom_Init(){ while(FSTAT_CCIF==0); //等待正在处理的FLASH操作完成...