发布时间：2021-04-29

“毅力号”探测器的“能量之心”——英特尔凌动®处理器 2021年2月18日，在飞离地球2.93亿英里之后，“毅力号”宇宙飞船以每小时1万英里（每小时1.6万公里）的速度落入稀薄的火星大气层。它在展开70英尺宽的红色条纹降落伞后，降速到每小时200英里（每小时320公里），启动了8个肼类下降引擎，成功登陆到火星表面，并随后向地球传回了火星的照片和视频，其中包括它的降落...

发布时间：2017-09-21

亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)日前推出适用于2.5V至40V系统的双输入电源优先级排序器--LTC4418。为实现可移植性、在欠压期间保持内存运作、以及在电源缺失时确保平稳的关机，电子系统采用了电池和电容器作为备份电源。 该排序器一般使用墙式电源转接器或主电池等较高优先级主电源来为负载供电，并在主电源欠压或电源缺失时切换至备份电源(通常是一个电池或大数值...

发布时间：2017-08-18

亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)推出双平衡混频器--LTC5552，该组件在3GHz至20GHz范围内可提供同类最佳的带宽匹配能力，并可作为上变频器或下变频器。 由于支持DC的差分IF埠使LO在频率上接近于RF，因此特别适用于上变频应用。 低LO至RF泄漏(低于–25dBm)大幅减轻了外部滤波器所承受的负担。 此外，该混频器还拥有卓越的线性度，在14GHz...

发布时间：2017-07-27

亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)日前推出具差分VOUT远程感测的20V、20A单晶同步降压转换器--LTC7150S。该组件独特的相位可锁受控导通时间定频电流模式架构，减轻了补偿负担，非常适合以高频操作、同时需快速瞬时响应的高降压比应用。 该组件采用Silent Switcher 2技术，包括内建的通路电容，以提供具卓越EMI性能的高效率解决方案，同时减轻...

发布时间：2017-07-24

亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)日前推出2.3A、105V输入同步降压开关稳压器--LTC7103。其4.4V至105V的宽广输入电压范围，专为连续采用高压输入源或采用具备高压涌浪输入运作而设计，因此无需外部涌浪抑制组件，使LTC7103非常适合各种交通运输、工业和通讯应用，例如48V汽车、36V至72V电流、航空电子以及双电池汽车系统。 该稳压器的高效率...

发布时间：2017-07-21

亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)推出因应3.45V至4.45V电源轨的完整锂离子电池备份管理系统--LTC4091，此类电源轨必须在主电源长时间故障时保持有效。 该组件采用具自适应输出控制的36V单晶降压转换器，以透过降压输出为系统负载供电，并实现高效率电池充电。 当外部电源可用时，该组件可提供高达2.5A的总输出电流，并向单颗4.1V或4.2V锂离子电池...

发布时间：2017-07-16

亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)推出单晶、同步、降压DC/DC转换器--LT3932，该组件具备内部36V、2A电源开关和内部PWM产生器。其固定频率、峰值电流模式控制能针对高达2A的LED串准确地调节电流于±1.5%内。 内建的PWM产生器提供128:1调光比。当需高达5000:1的调光比时，LT3932及一个外部PWM产生器便可适于此类应用。LT393...

发布时间：2017-07-16

电子网消息，亚德诺半导体 ( ADI ) 旗下凌力尔特公司 ( Linear ) 推出单片、同步、降压型 DC/DC 转换器 LT3932，该器件具内部 36V、2A 电源开关和一个内部 PWM 发生器。其固定频率、峰值电流模式控制能针对高达 2A 的 LED 串准确地调节电流在 ±1.5% 内。其集成的 PWM 发生器提供 128:1 调光比。 如果需要高达 5000:...

发布时间：2017-07-16

亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)日前推出零漂移运算放大器--LTC2063，该组件采用1.8V电源时，仅汲取1.3μA典型电流(最大值为2μA)。此微功率放大器保持不妥协的精准度，在25°C时最大输入失调电压为5μV，在–40°C至125°C范围内最大漂移为0.06μV/°C。在25°C时，最大输入偏置电流为15pA，在 –40°C至125°C范围内为10...

发布时间：2017-07-11

亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)日前推出高速、高压侧N信道MOSFET驱动器--LTC7001，该组件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N信道MOSFET开关，使其能保持无限期导通。 该驱动器为强大的1Ω闸极驱动器，可凭借非常短的转换时间和35ns传播延迟，方便地驱动闸极电容很大的MOSFET，因此相当适于高频开关和静态开关应用。 该...