发布时间：2022-05-07

在经过多年研究和设计之后，碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高，但它们也带来了许多挑战，包括栅极驱动要求。SiC要求的栅极电压(Vgs)要高得多，在负偏置电压时会关闭。GaN的阈值电压(Vth)则低得多，要求严格的栅极驱动设计。宽带隙(WBG)器件由于物理特点，机身二极管压降较高，因此对空转时间和打开/关闭跳变的控制要求要更严格。...

发布时间：2021-12-17

【技术大咖测试笔记系列】之十：在当今高压半导体器件上执行击穿电压和漏流测量 在经过多年研究和设计之后，碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高，但它们也带来了许多挑战，包括栅极驱动要求。SiC要求的栅极电压(Vgs)要高得多，在负偏置电压时会关闭。GaN的阈值电压(Vth)则低得多，要求严格的栅极驱动设计。宽带隙(WBG)器件由于...

发布时间：2020-11-19

如今，对能源效率的需求影响着自动化的所有领域。这包括各种白色家电，它们是在家庭自动化概念与如今完全不同的时代构想出来的。几十年前，当我们开始依赖这些设备时，能源的经济和环境成本没有消费者便利性那么重要，但这种不平衡最近发生了改变，如今人们正在努力加以解决。 尽管制造商尽了最大努力，但许多白色家电仍旧常常需要大量能源才能实现自身功能，包括加热水或空气（电烧水壶、烤箱、淋浴器...

发布时间：2018-02-06

法国阿斯克新城和德国德累斯顿 - 2018 年 2 月 1 日 - 来自电子、微电子及纳米技术研究院 (IEMN) 的最新结果显示，ALLOS 即将推出的适用于 1200 V 器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的纵向和横向击穿电压。 法国 IEMN 研究所的 Farid Medjdoub 博士领导的一支团队制造出了器件，并在由德国 ALLOS Semico...

发布时间：2016-10-25

...

发布时间：2016-10-24

...

发布时间：2016-10-24

...

发布时间：2012-07-31

1 检测小功率晶体二极管　 A 判别正、负电极 (a) 观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。 (b) 观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。 (c)以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的...

发布时间：2012-05-14

调节反向击穿电压的电路 ...

发布时间：2012-03-23

1 检测小功率晶体二极管　 A 判别正、负电极 (a) 观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。 (b) 观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。 (c)以阻值较小的一次测量为准...