发布时间：2017-12-07

如果没有电动机，我们难以想象如何实现工业传动技术及其自动化生产工艺。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）半导体器件控制高性能的电气驱动器，通过聚合物光纤实现与所需绝缘端的连接。然而，这一解决方案对空间很敏感。浩亭为用户提供全新微型化的绝缘栅双极型晶体管控制解决方案。浩亭在德国纽伦堡自动化展SPS IPC Drives Fair（11月28日至30日；10号展厅/140号展台）上展示...

发布时间：2016-11-09

　　1、 判断极性 　　首先将万用表拨在R 1K 挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。 　　2、 判断好坏 　　将万用表拨在R 10K 挡，用...

发布时间：2013-09-12

1 引言     随着电力电子技术的发展，高压大功率设备对IGBT的耐压等级提出更高要求，故IGBT串联技术成为研究热点之一。IGBT串联应用的关键问题是实现均压。在众多IGBT串联均压技术中，最简单、可靠的方法是并联RC缓冲回路。但在高压场合，考虑到损耗、体积及造价等因素，无RC缓冲回路的均压方法更实用。此外，基于电压轨迹控制和门极信号延时调整等有源方法，因控制电路过于复杂，...

发布时间：2013-08-06

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。 这些晶体管尺寸小，加上卓越的400mW功耗，有利于智能手机和平板电脑等受空间限制的便携式产品的设计。...

发布时间：2013-05-29

　　该转换器描述如下：它基于一个硅双极型晶体管(BJT)，可在低于250mV电压下工作，这对一个不是基于结型场效应管或锗晶体管的转换器来说几乎是创记录的。如何实现这种可能性呢? VBE的阈值并不是确定的，它决于电流密度和其他因素。 但250 mV远远低于能接受的最小值。这就需要用到一点窍门，实际上这里面也有几分诀窍。 　　最大的困难在于启动。一旦启动，即使电压下降到远低于传输...

发布时间：2011-10-07

1功率放大器用 场效应管 或 双极型晶体管 （以下简称晶体管）作前级和后级对信号进行放大处理。而采用 场效应管 做的功率放大器，重放的音乐温暖润滑，韵昧十足。用晶体管做的放大器也有其优点，不妨对 场效应管 和晶体管作一个对比。 1. 场效应管 主要有结型 场效应管 （JFET）和绝缘栅型 场效应管 （IGFET）。绝缘栅型 场效应管 的衬底（B）与源析（S）连在一起，它的三个极...

发布时间：2010-12-23

　　绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型器件容量大的优点，因而，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 　　在中大功率的开关电源装置中，IGBT由于其控制驱动...

发布时间：2006-03-20

XMOD Technologies公司日前发布新版本(version 2.6)的HiCUM Master工具包，该产品主要面向SiGe BiCMOS应用。 该工具包为双极型晶体管提供了可升级的物理层和基于加工的RF模块，这种高精度完全可升级的HiCUM模型含有过程变量的建模，能用于实现统计设计和电路产量优化。 基于TRADICA程序，HiCUM Master工具包可作为一...