发布时间：2023-03-30

东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率 中国上海，2023年3月30日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5” ，其采用最新一代 U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日...

发布时间：2022-10-11

Vishay推出反向恢复性能达到业界先进水平的 FRED Pt® 第五代600 V Hyperfast恢复整流器 12 A 和 15 A 器件有X 型和新的W型两种速度类型，Qrr 低至 75 nC，经过改进的 Erec 提高了效率 宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年10月11日 — 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，...

发布时间：2022-04-07

同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” 非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的...

发布时间：2016-10-19

2016年10月18日，德国慕尼黑讯 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布针对高能效设计和应用的OptiMOS 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS 5功率MOSFET的阵容。新的150 V产品家族专门针对要求低电荷、高功率密度和高耐受性的高性能应用而优化。它是英飞凌面向低压马达驱动、通讯电源同步...

发布时间：2014-02-18

1 引言 在弧焊逆变器中，大功率快恢复 二极管 的瞬态过渡过程和特性对于高频整流和主开关器件的正常工作具有至关重要的影响。在IGBT开通瞬间，功率 二极管 处于续流状态，会引起变压器次级短路，对IGBT形成电流冲击,不利于IGBT的可靠运行。 功率二极管存在显著的电导调制和电荷存储效应，其开、关状态的改变需要一定的时间。在正向恢复过程中，开通初期出现高出正常通态压降2~10...

发布时间：2013-08-24

1 引言 在弧焊逆变器中,大功率快恢复二极管的瞬态过渡过程和特性对于高频整流和主开关器件的正常工作具有至关重要的影响.在IGBT开通瞬间,功率二极管处于续流状态,会引起变压器次级短路,对 IGBT形成电流冲击,不利于IGBT的可靠运行. 功率二极管存在显著的电导调制和电荷存储效应,其开、关状态的改变需要一定的时间 .在正向恢复过程中,开通初期出现高出正常通态压降2~10倍...

发布时间：2013-08-06

用于高能效电源转换的高性能电子元器件供应商Power Integrations(PI)最近推出了200V Qspeed系列高性能二极管，拓展了其原有的Qspeed系列二极管产品阵营。200V Q系列二极管可应用于硬开关或软开关的输出整流管等应用领域。 PI的Qspeed系列采用独特的硅基工艺，具有低反向恢复电荷(Qrr)和软开关电性。当PN硅二极管在导通和反向偏置器件关断时...

发布时间：2013-05-16

　IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包括具备快速开关特性的T4芯片、具备软开关特性的P4芯片和开关速度介于T4和P4之间的E4芯片。 　　表1简单介绍了IGBT的3个折衷点，并对相应的电流范围给出了...

发布时间：2012-07-18

　　测试 二极管 的 反向恢复 特性通常需要复杂的测试设备。你必须能够建立正向传导条件、阻断状态和两者之间的转换。你还需要一种能够从结果的微波中提取特征的手段。总之，一个专家需要处理这个复杂的工作而不仅仅是例行公事。这个事实说明了为什么工程师们普遍倾向于依靠公布的数据。 　　你自己来检查反向恢复时间是有利的，不过，前提是要做的测试是简单明了的。这种格局将使你可以在相同的条...

发布时间：2012-03-15

1　引 言 　　电力电子装置的大量频繁使用给电网造成了很严重的谐波污染，因此必须引入功率因数校正（PFC）电路，使其输入电流谐波满足现有的谐波要求。在小功率应用中，工作于临界连续电流模式下的传统Boost PFC拓扑 ，因其结构简单，稳定性好，开关应力小得到了广泛的应用。　　　  　　随着对转换效率的要求提高，由传统Boost PFC拓扑衍生而来的无桥Boost拓扑逐渐成为研...