发布时间：2018-03-24

故障保护是所有电源控制器都有的一个重要功能。几乎所有应用都要求使用过载保护。对于峰值电流模式控制器而言，可以通过限制最大峰值电流来轻松实现这个功能。在非连续反向结构中，为峰值电流设置限制可最终限制电源从输入源获得的功率。但是，限制输入功率不会限制电源的输出电流。如果出现过载故障时输入功率保持不变，则随着输出电压下降，输出电流增加（P=V*I）。发生短路故障时，这会让输出整流器...

发布时间：2014-10-31

介绍 降压-升压转换器被广泛应用于工业用个人计算机 (IPC)，销售点 (POS) 系统，和汽车启停系统。在这些应用中，输入电压可以高于或低于所需的输出电压。基本反向降压-升压转换器具有一个相对于接地的负输出电压。单端初级电感器转换器 (SEPIC)，Zeta转换器和双开关降压-升压转换器具有正向或非反向输出。然而，与基本反向降压-升压转换器相比，所有这三个非反向拓扑结构具...

发布时间：2014-10-15

介绍 降压-升压转换器被广泛应用于工业用个人计算机 (IPC)，销售点 (POS) 系统，和汽车启停系统。在这些应用中，输入电压可以高于或低于所需的输出电压。基本反向降压-升压转换器具有一个相对于接地的负输出电压。单端初级电感器转换器 (SEPIC)，Zeta转换器和双开关降压-升压转换器具有正向或非反向输出。然而，与基本反向降压-升压转换器相比，所有这三个非反向拓扑结构...

发布时间：2014-09-23

　　本文来研究如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲。 　　图1显示了反向转换器功率级和一次侧MOSFET电压波形。该转换器将能量存储于一个 变压器 主绕组电感中并在MOSFET关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压（Vreset）以上，因此MOSFET关闭时通常会需要一个缓冲器。 　　存储于漏极电感中的能量可使MOSFET产生雪崩现象，因...

发布时间：2012-10-14

　　图1显示了反向转换器功率级和一次侧MOSFET电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 （Vreset） 以上，因此 MOSFET关闭时通常会需要一个缓冲器。 　　存储于漏极电感中的能量可使MOSFET产生雪崩现象，因此要添加一个由D1、R24和C6组成的钳压电路。该...

发布时间：2012-04-20

之前，我们介绍了如何对正向转换器输出整流器开启期间两端的电压进行缓冲。现在，我们来研究如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲。 图1显示了反向转换器功率级和一次侧MOSFET电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 (Vreset) 以上，因此 MOSFET关闭时通常会...

发布时间：2011-09-11

研究如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲。 图 1显示了反向转换器功率级和一次侧MOSFET电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在MOSFET关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压(Vreset)以上，因此MOSFET关闭时通常会需要一个缓冲器。存储于漏极电感中的能量可使MOSFET产生雪崩现象，因此要添加一个由...