发布时间：2024-07-18

可扩展的PXI, PXIe和LXI开关解决方案，隔离电阻高达1013Ω 英国Pickering公司作为用于电子测试和验证的模块化信号切换和仿真解决方案的领先供应商，近日推出新型低漏电流开关解决方案，面向半导体测试，如WAT晶圆验收测试中的低电流驱动保护测量。新款产品基于开关随动保护层(switched guard)设计原理，提供PXI, PXIe和LXI版本，整体设计确...

发布时间：2020-01-31

引言 在便携式应用场合，迫切需要有容量高、体积小、重量轻的电池。目前，在一次、二次电池中，锂电池已经取代镍镉、镍氢电池得到了广泛的应用。但锂电池存在“对过充电、过放电的耐受力差”的缺点，所以，锂电池都必须配有保护电路板，对锂电池的过充电、过放电起保护作用。保护板由锂电池供电，正常耗漏电流为2μA~3μA，如果保护板的漏电流超过5μA，将引起电池存储寿命缩短，严重时可使电池损坏...

发布时间：2018-05-07

一、漏电流的产生分类 一般漏电流分为四种，分别为:半导体元件漏电流、电源漏电流、电容漏电流和滤波器漏电流 1、半导体原件漏电流 PN结在截止时流过的很微小的电流。D-S正向偏置，G-S反向偏置，导电沟道打开后，D到S才会有电流流过。但实际上由于自由电子的存在，自由电子的附着在SIO2和N+、导致D-S有漏电流。   图1.1.1  带 IGBT 开关逆变中的漏电流 2、电源漏...

发布时间：2018-05-04

一、 漏电流 的产生分类   一般漏电流分为四种，分别为:半导体元件漏电流、电源漏电流、电容漏电流和滤波器漏电流   1、半导体原件漏电流   PN结在截止时流过的很微小的电流。D-S正向偏置，G-S反向偏置，导电沟道打开后，D到S才会有电流流过。但实际上由于自由电子的存在，自由电子的附着在SIO2和N+、导致D-S有漏电流。   图1.1.1  带IGBT开关逆变中的漏...

发布时间：2017-03-03

中国，北京—2017年3月1日—Maxim Integrated推出最新除颤保护器件MAX30034，可广泛用于除颤仪、ECG(心电图)诊断与监护等医疗设备，使其免受除颤脉冲和静电放电(ESD)的冲击。相比现有的处理方法和器件，该器件可简化设计、节省75%以上的空间、削减材料清单，同时极大地提高性能。 除颤仪和ECG监护仪设计面临的一项挑战是ECG输入放大器必须承受心脏复...

发布时间：2008-12-15

2008 年12月15日，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款具有低电容及漏电流的最新小型ESD 保护阵列--- 2 线路的 VBUS052CD-FAH 和 4 线路的 VBUS054CD-FHI，这些器件可保护高速数据线，以防止瞬态电压信号。 具有 0.6 mm 超薄厚度、可实现板面空间节约的 2 线路 VBUS052CD-FAH ...