发布时间：2023-09-22

有的现场使用变频器控制电机会出现漏电问题，漏电电压有几十伏到200伏不等，在这里针对此故障的原因进行理论的分析。我们都知道电动机的三相定子绕组流过电流产生旋转磁场，根据磁电感应的原理，电动机的外壳就会产生感应电动势，此电动势的大小就取决于变频器IGBT的开关频率的大小，由于高性能的控制要求高的开关频率，其开关速度很快，则DV/DT偏大，同时这个感应电动势就偏大，人触摸上就有电...

发布时间：2023-08-02

前言 STM32L4 系列，目前是STM32超低功耗产品中最强大的一个系列。它为我们提供了丰富的低功耗模式，包括STOP2 模式、低至30nA 的Shutdown 模式。对于这些模式，我们需要进行深入地了解，才能把它们用好。 问题 某客户在其产品的设计中，使用了STM32L476RGT6。客户在开发过程中，发现当进入STOP2模式后，MCU 的电流保持在179.6uA，远...

发布时间：2022-04-26

近日，多款采用4nm制程芯片的手机，被用户吐槽存在发热量高和功耗高等方面的问题。据了解，此次涉嫌功耗过热的3款顶级手机芯片，分别是高通骁龙8Gen1、三星Exynos2200、联发科天玑9000，均为目前各厂商高端芯片的代表。同时，天玑9000的生产商是台积电，Exynos2200和骁龙8Gen1的生产商是三星，为排名前两位的芯片代工制造商。 　　 去年年初，5nm芯片就因发...

发布时间：2021-08-29

据业内人士透露，三星电子的3nm GAA工艺目前仍面临着漏电等关键技术问题，消息人士称，该工艺在性能和成本方面可能也不如台积电的3nm FinFET工艺。 据《电子时报》报道，上述人士表示，三星可能最早于2022年将其3nm GAA工艺量产，但由于成本高和性能不理想，可能无法吸引到台积电3nm FinFET工艺所获得的客户，后者据称已经获得了苹果和英特尔的订单。 台积电有望在...

发布时间：2018-07-27

随着电动汽车的普及，电动汽车充电的安全规范也越来越严格，众所周知，电动汽车充电一共有四种模式， 模式一由于不能提供有效的保护已经被明令禁止；模式二是在模式一基础上，在充电缆线上配备一个保护盒（IC-CPD），产生故障电流时可以进行显示、保护；模式三即以交流充电桩的方式充电；模式四即以直流充电桩的方式充电。 以模式二为例，为了保证充电过程的安全，很多整车厂尤其是国外车厂和国...

发布时间：2018-05-04

随着 电动汽车 的飞速发展， V2G 的概念被不断提及，其核心思想就是利用大量电动汽车的储能源作为电网和可再生能源的缓冲，当电网负荷过高时，由电动汽车储能源向电网馈电，而当电网负荷过低时，用来存储电网过剩的发电量，避免造成浪费。通过这种方式，电动汽车用户可以在电价低时，从电网买电，在电价高时，向电网售电获得收益。同时，在遇到突发事件如战争、自然灾害的时候，大量的电动汽车还可以...

发布时间：2016-08-07

1、漏电问题产生的原因 　　在有的现场使用 变频器 控制电机会出现漏电问题，漏电电压有几十伏到200伏不等，在这里针对此故障的原因进行理论的分析和说明如下。 　　根据变频器控制电机运行的功能图（图1）三相电经过整流经滤波电容供电给逆变桥（IGBT），再经逆变器输出频率、电压可调的三相电去控制电机的运行。 　　我们都知道电动机的三相定子绕组流过电流产生旋转磁场，根据磁电感...