发布时间：2019-05-22

由于半导体发展趋势，在相同晶圆面积下填入更多晶体管，势必使线宽逐渐微缩，但尺寸微缩却有限制，其闸极线宽极限约在3～5nm间(线宽愈小则电阻值愈大)，使得科学家试图找寻在不微缩线宽尺寸下，如何以相同的制程方式提升元件效率，突破摩尔定律限制，而SOI(Silicon on Insulator)硅晶绝缘体技术，即为解决方法之一。 所谓SOI技术是由Si晶圆透过特殊氧化反应，使氧...

发布时间：2013-09-30

近年来氮化镓（GaN）系列化合物半导体材料已被证实极具潜力应用于液晶显示器（LCD）之背光模组、光学储存系统、高频与大功率之微波电子元件等商业用途。然而，目前商品化的氮化镓系半导体光电元件均以蓝宝石（Sapphire）与碳化矽（SiC）基板为主，且重大基本专利掌握在日本、美国和德国厂商手中。有鉴于专利与材料种种问题，开发矽基氮化镓（GaN-on-Si）磊晶技术遂能摆脱关键原料...