发布时间：2012-09-13

　　绝缘栅双极晶体管IGBT（INSu1ated Gate Bipolar Transistor）是一种新型的复合功率开关器件。如图（a）为IGBT芯片的基本结构图，可以看出 ，IGBT比N型沟道的MOSFET多一个P＋层。 　　IGBT的特点如下。 　　（1）IGBT是一种电压控制的功率开关器件：IGBT等效于用MOSFET做驱动级的一种压控功率开关器件。 　　...

发布时间：2012-09-05

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，适合在10kHz以下工作的电机驱动应用，包括冰箱和空调的压缩机。 IR新一代Gen 7 F器件采用击穿沟道式技术，能够为特定的工作频率提供更高功率密度，以及经过优化的传导和开关损耗。全新IGBT的VCE(ON) 非常低，能通过零温度系数提升...

发布时间：2012-03-07

摘要：为满足高压大容量逆变系统的要求，设计采用绝缘栅双极晶体管IGBT组成逆变电路的光伏发电系统。通过对太阳能光伏发电原理的简单了解，比较场效应管MOSFET和绝缘栅双极晶体管IGBT构成的逆变电路，针对IGBT构成的逆变电路中的重要环节分别提出改进方案来优化电路设计。最终既满足对高压大容量系统要求，又可以提高整个系统工作效率，使得整个系统达到最优状态。 关键词：太阳能；光伏...

发布时间：2011-11-19

摘要：对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨。提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法。 关键词：开关电源；绝缘栅双极晶体管；驱动保护 Technology of Drive ＆ Protection Circuit for IGBT Module JIANG Huai-gang, LI Qiao, HE Zhi-wei  Abstra...

发布时间：2011-09-27

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier ，简称 IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 ( IGBTs ) ，该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。   全新 1200 V IGBT 器件采用 IR 成熟的纤薄晶圆场沟道技术，...

发布时间：2011-07-22

绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管 。 一． 绝缘栅双极晶体管IGBT的工作 原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。 该器件符号如下： N沟道 P沟道 图1-8：IGBT的图形符号 注意，它的三个电极分别为门极G、集电极C、发射极E。 图1-9：IGBT的等效电路图。 上面给出了该器件的等效电...

发布时间：2011-07-09

绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数 绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。 一． 绝缘栅双极晶体管的工作 原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。 该器件符号如下： N沟道 P沟道 图1-8：IGBT的图形符号 注意，它的三个电极分别为门极G、集电极C、发射极E。 图1-9：IGBT的等效电路...

发布时间：2009-11-18

      国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。       AUI...

发布时间：2008-05-16

2008 年 5 月 13 日 ，意法半导体推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（ IGBT ），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用 ST 的全新 IGBT （包括 STGxL6NC60D 600V PowerMESH™ ），用于工作频率超过 20kHz 的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体...