发布时间：2024-11-04

在Makefile里添加nand.o，然后新建一个nand.c来实现NandFlash的读操作。 对NandFlash的读方式有两种： 按页读（需要提供页地址，也就是行地址）。 随机读（就是读取页里的某一列，需要提供页地址，也就是行地址和列地址）。 实现页读需要两个操作，一个是页地址，另一个是存放读出的数据的变量。所以定义的函数的原型： void NF_PageRead...

发布时间：2024-10-31

一，GD32的flash特征 1、在flash的前256K字节空间内，CPU执行指令零等待；在此范围外，CPU读取指令存在较长延时； 2、对于flash大于512KB（不包括等于512KB）的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD，使用了两片闪存；前512KB容量在第一片闪存（bank0）中，后续的容量在第二片闪存（bank1）中； 3、对于flash容量小于等于51...

发布时间：2024-06-06

这篇文章不是介绍 nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的。你需要至少了解 你手上的 nand flash的物理结构和一些诸如读写命令 操作的大概印象，你至少也需要看过 s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明。 由于本人也没有专门学过这方面的知识，下面的介绍也是经验之谈。 这里 我用的 K9F2G08-SCB0 这款nand ...

发布时间：2021-11-02

首先打开STVP,打开需要烧写的程序（Open），如果要对芯片进行读保护，就把选择项里面的保护选择为ON就行。如下图所示： 点全部写入，会提示你设定保护，点“是”就写入保护了。 以上写入完成后，再读和写均被保护。提示如图: 如果要重新下载程序，就必须先去掉保护，需要选择保护OFF，点下图按钮即可完成操作。 ...

发布时间：2021-07-20

1.MSR和MRS指令介绍     MRS 指令: 对状态寄存器CPSR和SPSR进行读操作。通过读CPSR可以获得当前处理器的工作状态。读SPSR寄存器可以获得进入异常前的处理器状态（因为只有异常模式下有SPSR寄存器）。    MSR指令: 对状态寄存器CPSR和SPSR进行写操作。与MRS配合使用，可以实现对CPSR或SPSR寄存器的读-修改-写操作，可以切换处理器...

发布时间：2020-04-01

准备分析 《S5PV210的NandFlash应用(一)》有很多bug，为了文章完整性就不在原文上进行修改了。（一）是在调试nand_cp.c的时候，程序运行过之后，灯立即亮了起来，让我误以为我的NandFlash读操作正常了，最后在往下进行大文件拷贝的时候出现异常，我不得不重新回到这个Nand_cp.c这里来。这次结合Uart打印出NandFlash读出的数据，和210...

发布时间：2020-04-01

准备分析 标题挂了一个（一），代表这个是涉及到NandFlash并不深入，只实现读操作。还是16k的代码，这次从NandFlash中读取，读到iRAM中地址为0xD0024000的地方。并调用main运行。如下图所示：（CPU会自动把B区代码拷贝到A区，我用A区代码从将B区代码拷贝到C区，并调用main运行） 资源工具 同《 S5PV210的LED应用(一)》 N...

发布时间：2019-11-23

//***************************************************************************** //***************************************************************************** // pic16f917 //***********...

发布时间：2018-09-08

STM8L带有片上EEPROM，常用来保存参数，事实上STM8L整个程序存储区都可以用于作为EEPROM，只是默认情况下被闭了。 不同型号的STM8L器件其内部默认划分的EEPROM区域都是从0x1000地址开始，以下为STM8LXX的EEPROM读写例： #define EEPROM_STARTADDR 0x1000 //EEPROM读数据方法 ...

发布时间：2017-02-24

STM8L带有片上EEPROM，常用来保存参数，事实上STM8L整个程序存储区都可以用于作为EEPROM，只是默认情况下被闭了。 不同型号的STM8L器件其内部默认划分的EEPROM区域都是从0x1000地址开始，以下为STM8LXX的EEPROM读写例： #define EEPROM_STARTADDR 0x1000 //EEPROM读数据方法 ...