发布时间：2021-09-07

Socionext 和合作伙伴发表由宇宙射线介子和中子引起的半导体软误差之间的差异，建立环境辐射评价与对策的技术 Socionext Inc.与高能加速器研究组织材料结构科学研究所、京都大学综合辐射与核科学研究所、大阪大学信息科学与技术研究生院经共同研究，首次成功证明介子和中子引起的半导体器件的软误差具有不同的特性。该研究小组对日本质子加速器研究中心 (J-PARC)材料...

发布时间：2016-09-22

普通型51单片机一般不集成PWM硬件发生器，要想实现PWM输出必须采用软件模拟的方式。根据具体应用的不同，PWM波形频率也高低不一；就直流电机控制而言，PWM波的频率一般建议在10kHz～40kHz，20kHz为典型值，输出频率过低，则输出电流不够平缓，电机运行不平稳。 软模PWM输出一般有两种方式：利用定时器0控制PWM频率输出，结合定时器1控制占空比，这是其一；第...

发布时间：2012-05-25

软误差是 半导体 器件中无法有意再生的“干扰”(即数据丢失)。它是由那些不受设计师控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射线和热中子。许多系统能够容忍一定程度的软误差。例如，如果为音频、视频或静止成像系统设计一个预压缩捕获缓冲器或后置解压缩重放缓冲器，则一个偶然出现的缺陷位可能不会被察觉，而且对用户而言也许并不重要。然而，当存储元件在关键任务应用中负责控制系统的功能时，软误...

发布时间：2012-04-03

软误差率(SER)问题是于上个世纪70年代后期作为一项存储器数据课题而受到人们的广泛关注的，当时DRAM开始呈现出随机故障的征兆。随着工艺几何尺寸的不断缩小，引起失调所需的临界电荷的减少速度要比存储单元中的电荷聚集区的减小速度快得多。这意味着： 当采用诸如90nm这样的较小工艺几何尺寸时，软误差是一个更加值得关注的问题，并需要采取进一步的措施来确保软误差率被维持在一个可以接受...

发布时间：2011-11-14

软误差是半导体器件中无法有意再生的“干扰”(即数据丢失)。它是由那些不受设计师控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射线和热中子。许多系统能够容忍一定程度的软误差。例如，如果为音频、视频或静止成像系统设计一个预压缩捕获缓冲器或后置解压缩重放缓冲器，则一个偶然出现的缺陷位可能不会被察觉，而且对用户而言也许并不重要。然而，当存储元件在关键任务应用中负责控制系统的功能时，软误差的...