发布时间：2024-09-12

　　刚开始学习一款单片机的时候一般都是从操作IO口开始的，所以我也一样，先是弄个流水灯。 　　刚开始我对STM32的认识不够，以为是跟51单片机类似，可以直接操作端口，可是LED灯却没反应，于是乎，仔细查看资料发现，原来对于ARM，不管你要操作哪个IO口，都要先配置IO口。 　　不过对于普通的IO口的应用，配置会比较简单，主要就以下几个步骤： 　　1.打开相应IO口的...

发布时间：2024-08-14

近年来，随着人们健康意识的增强，亚健康、中国老年、商旅办公等人群的扩大，以及智能化按摩椅产品的不断更新升级，具有良好按摩保健功效的按摩椅正逐步获得广大消费者的认可。从电机的种类上来看，有刷电机因其简单的控制方式和优良的转矩控制特性，在调速领域一直占有主导地位。为了提高功率，按摩椅中的驱动往往采用12/24V有刷电机，考虑到电机运转中的瞬态电压，往往会采用40-50V耐压范围的...

发布时间：2023-06-06

本文将谈一谈使用有刷直流电机驱动器IC进行PWM驱动时，通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗。之所以讨论这个话题，是因为再生时的实际功耗可能会大于估算值，在某些情况下可能会引发问题，所以需要注意。 通过MOSFET的寄生二极管进行电流再生时，功耗是否会大于计算值？ 当通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时，其功耗应该是寄生二极管的正向电压×电机...

发布时间：2021-11-30

东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦 中国上海，2021年11月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。 TLP5705H是东芝首款采用...

发布时间：2020-09-21

最大可以输出8mA，灌入20mA，但要保证所有进入芯片VDD的电流不能超过150mA，同样所有从VSS流出的电流也不能超过150mA。 详细请看STM32的数据手册中的相关内容。 例如，STM32F103中容量产品，需要看5.2节和5.3.12节，里面有更详细的数据： http://www.st.com/stonline/products/literature/ds/1358...

发布时间：2016-12-23

最大可以输出8mA，灌入20mA，但要保证所有进入芯片VDD的电流不能超过150mA，同样所有从VSS流出的电流也不能超过150mA。 详细请看STM32的数据手册中的相关内容。 例如，STM32F103中容量产品，需要看5.2节和5.3.12节，里面有更详细的数据： http://www.st.com/stonline/products/literature/ds/1358...

发布时间：2016-12-12

东京--东芝公司（TOKYO：6502）旗下存储与电子元器件解决方案公司今日推出一款通用型多输出系统电源IC——“TC7739FTG”，该IC配备有直流-直流电源和串联稳压器。批量生产将于本月底启动。 随着平板电脑和其他移动设备提高处理速度，它们需要低电压、大电流驱动的电源。它们还需要多应用电源，而且必须降低噪音，以适应印刷电路板的小型化。 东芝全新的多输出系统...

发布时间：2016-09-20

东京 东芝公司（TOKYO：6502）旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出一个采用低高度封装的低输入电流驱动、轨至轨输出、栅极驱动光电耦合器系列，该系列产品支持从微控制器无缓冲直接驱动低到中等功率IGBT和MOSFET。三款新产品 TLP5771 , TLP5772 和 TLP5774 出货即日启动。 新的光电耦合器产品阈值输入电流为2mA（最大值），...

发布时间：2015-05-11

东京 东芝公司（TOKYO：6502)旗下半导体与存储产品公司今日宣布，推出一款采用低高度SO6L封装的低输入电流驱动晶体管输出光电耦合器，该产品可用于代替传统的DIP4引脚封装产品。新产品 TLP383 出货即日启动。 这款新产品融合了东芝的原始高输出红外线LED，可确保在0.5mA输入电流和5.0mA输入电流时实现相同的CTR（电流传输比）。 这款新的光电耦合器...

发布时间：2014-03-04

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副边同步整流器驱动器 LT8309，该器件采用 MOSFET 取代了输出二极管，无需使用散热器就可允许高达 10A 的输出电流。在不使用散热器时，反激式电源的最大输出电流受到功耗和输出二极管产生的热量所限制。LT8309 用外部 N 沟道 MOSFET 的 RDS(ON) 压降取代了二...