发布时间：2024-08-21

　　SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)，也就是通常所说的内存。内存是代码的执行空间，以PC机为例，程序是以文件的形式保存在硬盘里面的，程序在运行之前先由操作系统装载入内存中，由于内存是RAM（随机访问存储器），可以通过地址去定位一个字节的数据，CPU在执行程序时将PC的值设置为程序在内存中的开...

发布时间：2024-01-15

英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线，适用于航空等极端环境 【2024年1月15日，德国慕尼黑讯】卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着联网设备的数量及其产生的数据量不断增长，这一点变得愈发重要。为满足太空应用中的这些高性能计算需求， 英飞凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies ...

发布时间：2023-11-02

在诸多工业、汽车等对产品可靠性有高要求的应用场景中，如BMS，会使用存储器来储存系统中的重要信息，这得益于存储器本身的特性，数据保存期限久、耐久性出色、擦写次数高。FRAM在众多存储产品中脱颖而出，越是对使用有限制、有要求的场景，就越会使用FRAM来存储系统中的重要信息，在一汽车尾门控制器中，就有使用拍字节的PB85RS128C，本文将详细介绍相关参数及应用。 PB85R...

发布时间：2019-07-19

三星电子18日宣布，抢先全球量产12Gb(Gigabit) LPDDR5移动用DRAM，距离上次公布12GB LPDDR4X随机存取存储器投入量产仅相隔5个月，韩媒《bloter》指出，Galaxy Note 10有望搭载12Gb LPDDR5随机存取存储器。 为配合5G时代的变化，12Gb LPDDR5随机存取存储器与Galaxy S10上搭载的LPDDR4X（4266MB...

发布时间：2019-05-29

MRAM是Magnetic Random Access Memory的缩写，中文名称“磁性随机存取存储器”。 MRAM的核心存储器件是Magnetic Tunnel Junction（MTJ），中文名称“磁性隧道结”。 STT-Mram结构 eMRAM 指嵌入式磁性随机存取存储器，可作为系统级芯片（SoC、MCU等）产品的片上存储解决方案。是28纳米及以下工...

发布时间：2019-04-22

随着电动汽车技术的发展，以及政府的政策鼓励与扶持，电动汽车(混动+纯电动)以每年超过50%的速度高速增长，电池以及电池管理系统作为电动汽车的核心组件，其市场需求也获得相应的快速增长。本文将就电池管理系统对存储器的需求进行分析 电池管理系统(Battery Management System, 即BMS)主要实现三大核心功能：电池充放电状态的预测和计算(即SOC)、单体电池的...

发布时间：2019-03-20

随着 电动 汽车 技术的发展，以及政府的政策鼓励与扶持，电动汽车（混动+纯电动）以每年超过50%的速度高速 增长， 电池以及电池管理系统作为电动汽车的核心 组件 ，其市场需求也获得相应的快速增长。本文将就电池管理系统对存储器的需求进行 分析。 电池管理系统（ Battery Management System, 即BMS）主要实现三大核心功能：电池充放电状态的预测和计算（即...

发布时间：2018-02-19

　　引言 　　随着超大规模集成电路的制造工艺的进步，在单一芯片上动态随机存储器实现了更高密度的比特位，使得计算机系统在计算速度迅猛发展的同时，内存容量极大的扩大。伴随着集成度的提高，存储器单元呈现失效的可能性随之增大，失效的形式和原因也趋于更加复杂化。存储器测试的目的是确保其每个单元能够存储数据并且惟一的寻址、读、写。存储器的测试面临两方面的要求：较高失效类型覆盖率，尽可能检...

发布时间：2017-09-25

电子网消息，格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX®)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先...

发布时间：2017-05-08

　　近日，北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机 存储器 芯片(STT-MRAM)器件。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 　　STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型 存储器 解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继硬盘、DRAM及闪存等存储芯片之后...