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http://blog.sina.com.cn/s/blog_679f935601013zjx.html
上图是NAND内部结构,WL是若干个Page,一组(64)WL是一个block,从左边的电路看,如果一个page的WL坏了,那么就不能正常地使用这个WL来控制栅极电压,这样就不能对其他WL下的cell进行Read,Program, Erase的操作了。所以对其他page的操作也有可能产生问题。
Inside NAND Flash Memories一书中这么说:
Due totheir particular structure, NAND memories haven't row redundancy.When a wordlines short occurs, the block containing those wordlinesis marked as bad.