原文地址
Intel在Flash Summit上介绍了20nm工艺下保持SSD中NAND数据完整性的方法。
[url=]http://www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Proceedings/2012/20120821_TC12_Frickey.pdf[/url]
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错误概率
- 每1016bit读出现1个错
- MTBF(平均故障时间)2百万小时
- 每年平均损坏0.44%的SSD容量
- 数据室温下平均保持1年
NAND几种缺陷
如下图,只是分布图平移的可以想办法恢复,因为数据之间还是清楚隔离的。
使用多个die奇偶校验,可以挽救整个Die的报废。
[url=]Read Retry[/url]
MLC的几个数据点电压分布有可能会平移,只要几个分布没有叠加就可以恢复。[url=]Read Retry[/url]尝试用不同的参考电压来读数据,直到读出来。
Advanced Read Retry
先读附近的cell确定状态,再用不同参考电压读两次要读的cell,根据附近cell数据决定选择哪一个。
用软信息读
从图中看起来,是从不同的参考电压读到几组数据后综合得到最终数据。这个需要更强大的ECC纠错能力,如LDPC。跟Viterbi译码的软判决过程有点像。