在接负载时MOS管温度很高，大约40多度。有时候上电2个月也没问题，但是有时候不定哪天MOS管就坏掉了，很容易烧坏MOS管，请问这个电路需要怎么改进？
“上电2个月也没问题”的状况是什么，一直带载还是偶尔带载。
MOS管应该给够足够散热器措施的
如果MOS管的壳体温度是40多度，这个要用温度计测一下，过温是有可能的损坏的原因
2个月是带负载测试的，MOS管固定在有铝制散热板上的，
外壳40°一般的MOS都是能承受
或者有上电瞬间过流造成，可以电路中改变驱动电阻
或者考虑开机都有浪涌电流，用热敏电阻解决
要根据电路进行问题判断
标题是“正负脉冲信号驱动MOSFET电路问题”，但5楼图中Input却标注“输入正负20V的正弦波”。
输入倒底是脉冲还是正弦波？
楼主在Output处的负载是什么？这很重要。
另外，Input处输入信号的频率也很重要。
不好意思，标题有误，输入是正弦波，由于驱动信号从处理器出来是脉冲，经过变换成正弦波后，进行信号放大后，驱动MOS管，
负载是一个电容与线圈组成的升压电路。Input信号频率是58k。
我觉得管子烧坏，不是因为发热导致，确实是上电后，过不久，会闻到焦味，断电后进行通断测试，管子已经短路，有时候是3个管脚都短路，有时候是G-S短路。
在正负50V接入板子后，分别并联一个470uF/100V电解电容，也是为了缓冲上电瞬间的电流，不知道是不是没起作用，如果用热敏电阻，是并联在正负50V吧？
看不大懂这个电路。
输入既然是正弦波，那么四支MOS管应该是对此正弦信号进行线性放大。但从R608和R609比例看，静态(无正弦信号输入)时MOS管仍处于关断状态，也就是说，该放大器工作于丙类。
类似变压器的原理，线圈上正弦波电压高达3-4kV。
输入是正弦波，输出是有点失真的方波，就是提高输出电压至正负110V，
既然是要提高输出电压到正负110V，方波驱动四支MOS管就好了，何必处理器输出脉冲，变换成正弦波，再驱动四支MOS？
“如图是不加负载时候的波形：
这个波形基本正常。MOS管损坏的原因，估计不在这里。
京公网安备 11010802033920号
