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2C4957

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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器件参数
参数名称
属性值
Objectid
1813438735
包装说明
UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
集电极-发射极最大电压
30 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
20
JESD-30 代码
R-XUUC-N2
元件数量
1
端子数量
2
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
UNCASED CHIP
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
UPPER
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
1600 MHz
文档预览
Data Sheet No. 2C4957
Chip Type 2C4957
Geometry 0006
Polarity PNP
Generic Packaged Parts:
2N4957, 2N4958, 2N4959
Chip type
2C4957
by Semicoa Semi-
conductors provides performance
similar to these devices.
Part Numbers:
Product Summary:
APPLICATIONS:
Designed for high-gain, low-noise class A
amplifiers, oscillators and mixers.
Features:
Special Characteristics
ft = 1.6 GHz (typ) at 2.0 mA/10V
Radiation graphs available
2N4957, 2N4957UB,
2N4958, 2N4958UB,
2N4959, 2N4959UB, SD4957, SD4957F,
SQ4957, SQ4957F
Mechanical Specifications
Metallization
Bonding Pad Size
Die Thickness
Chip Area
Top Surface
Top
Backside
Emitter
Base
Al - 12 kÅ min.
Au - 6.5 kÅ nom.
2.3 mils x 2.3 mils
2.3 mils x 2.3 mils
8 mils nominal
16 mils x 16 mils
Silox Passivated
Electrical Characteristics
T
A
= 25 C
Parameter
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
o
Test conditions
I
C
= 1.0 mA
I
C
= 100 µA
I
E
= 100 µA
V
CB
= 10 V dc
Min
30
30
3.0
---
Max
---
---
---
0.1
Unit
V dc
V dc
V dc
µA
h
FE
V
CE
= 10 V, I
C
= 2.0 mA
20
150
---
Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less
than 300 µs, duty cycle less than 2%.
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