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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
厂商名称：Semiconductor Technology Inc
下载文档| 型号 | 2N1136B | 2N457A |
|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | TO-204AA | TO-204AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数 | 2 | 2 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 6 A | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V | 30 V |
| 配置 | Single | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 50 | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-3 | TO-3 |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 100 °C | 100 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管元件材料 | GERMANIUM | GERMANIUM |
| Base Number Matches | 1 | 1 |