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2N2640

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-77, TO-77, 8 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Raytheon Company

厂商官网:https://www.raytheon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Raytheon Company
包装说明
TO-77, 8 PIN
Reach Compliance Code
unknown
最大集电极电流 (IC)
0.03 A
集电极-发射极最大电压
45 V
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)
50
JEDEC-95代码
TO-77
JESD-30 代码
O-MBCY-W8
JESD-609代码
e0
元件数量
2
端子数量
8
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.3 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
80 MHz
Base Number Matches
1
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参数对比
与2N2640相近的元器件有:2N2913。描述及对比如下:
型号 2N2640 2N2913
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-77, TO-77, 8 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-77, TO-77, 8 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 TO-77, 8 PIN TO-77, 8 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 50 60
JEDEC-95代码 TO-77 TO-77
JESD-30 代码 O-MBCY-W8 O-MBCY-W8
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 2 2
端子数量 8 8
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 60 MHz
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