2N3583.MOD,2N3583.MOD pdf中文资料,2N3583.MOD引脚图,2N3583.MOD电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

零件包装代码

TO-66

包装说明

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

针数

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

外壳连接

COLLECTOR

最大集电极电流 (IC)

1 A

集电极-发射极最大电压

175 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

JEDEC-95代码

TO-213AA

JESD-30 代码

O-MBFM-P2

元件数量

端子数量

封装主体材料

METAL

封装形状

ROUND

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

NPN

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

PIN/PEG

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

10 MHz

Base Number Matches

文档预览

2N3583

Dimensions in mm (inches).

3.68

(0.145) rad.

max.

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.61 (0.142)

4.08(0.161)

rad.

Bipolar NPN Device in a

Hermetically sealed TO66

Metal Package.

11.94 (0.470)

12.70 (0.500)

24.13 (0.95)

24.63 (0.97)

14.48 (0.570)

14.99 (0.590)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

Bipolar NPN Device.

CEO

= 175V

= 1A

All Semelab hermetically sealed products

can be processed in accordance with the

requirements of BS, CECC and JAN,

JANTX, JANTXV and JANS specifications

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

min.

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

TO66 (TO213AA)

PINOUTS

1 – Base

2 – Emitter

Case – Collector

Parameter

CEO

C(CONT)

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

175

Units

@ 10/0.75 (V

/ I

)

10M

200

* Maximum Working Voltage

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact

sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

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E-mail:

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Website:

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Generated

1-Aug-02

参数对比

与2N3583.MOD相近的元器件有：2N3583.MODR1、2N3583R1。描述及对比如下：

型号	2N3583.MOD	2N3583.MODR1	2N3583R1
描述	1A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	1A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	1A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
是否无铅	含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	符合
零件包装代码	TO-66	TO-66	TO-66
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数	2	2	2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	175 V	175 V	175 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	40	40
JEDEC-95代码	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz	10 MHz	10 MHz
Base Number Matches	1	1	1
JESD-609代码	-	e1	e1
端子面层	-	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER